[发明专利]一种柔性阵列基板及制备方法、显示基板、显示装置有效
申请号: | 201711163249.4 | 申请日: | 2017-11-20 |
公开(公告)号: | CN107946317B | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 张帅 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 柔性 阵列 制备 方法 显示 显示装置 | ||
1.一种柔性阵列基板,包括显示区和非显示区,其特征在于,所述非显示区包括与所述显示区相邻的弯折区;
所述弯折区中包括设置于衬底基板上的信号线以及辅助线,所述辅助线位于所述信号线背离所述衬底基板的一侧;
所述辅助线与所述信号线之间设置有绝缘层,所述绝缘层在所述弯折区与不同所述信号线重叠的区域,设置有由沿不同所述信号线延伸方向排布的多个凹陷部形成的不同凹陷部组,所述辅助线覆盖所述凹陷部组;
所述阵列基板包括位于所述信号线靠近所述衬底基板一侧的膜层;
所述膜层在所述弯折区设置有沿垂直所述信号线延伸方向的凹槽,所述凹槽中填充有包括有机绝缘材料的绝缘体,且所述绝缘体在背离所述衬底基板一侧的表面和所述膜层中与所述信号线接触的表面平齐。
2.根据权利要求1所述的柔性阵列基板,其特征在于,所述凹陷部为盲孔,和/或,通孔。
3.根据权利要求1所述的柔性阵列基板,其特征在于,所述绝缘层由有机绝缘材料构成。
4.根据权利要求1所述的柔性阵列基板,其特征在于,所述辅助线由导电材料构成。
5.根据权利要求4所述的柔性阵列基板,其特征在于,所述辅助线与所述信号线的材质相同。
6.根据权利要求1所述的柔性阵列基板,其特征在于,所述绝缘层在与每一所述信号线重叠的区域均设置有所述凹陷部组。
7.根据权利要求1-6任一项所述的柔性阵列基板,其特征在于,
一个所述辅助线覆盖一个所述凹陷部组;
或者,一个所述辅助线覆盖多个所述凹陷部组,且该多个所述凹陷部组中仅一个凹陷部组包括通孔。
8.根据权利要求1-6任一项所述的柔性阵列基板,其特征在于,所述信号线为数据线、栅线、公共电极线中的至少一种。
9.根据权利要求1-6任一项所述的柔性阵列基板,其特征在于,所述辅助线与所述阵列基板中的像素电极同层同材料。
10.一种柔性阵列基板的制备方法,所述阵列基板包括显示区和非显示区,其特征在于,所述制备方法包括:
在衬底基板位于所述非显示区中与所述显示区相邻的弯折区形成信号线;
在形成有所述信号线的所述衬底基板上形成:在所述弯折区与不同所述信号线重叠的区域设置有不同凹陷部组的绝缘层;其中,所述凹陷部组包括沿单条所述信号线延伸方向排布的多个凹陷部;
在形成有所述绝缘层的所述衬底基板上形成覆盖所述凹陷部组的辅助线;
还包括形成位于所述信号线靠近所述衬底基板一侧的膜层;
所述膜层在所述弯折区设置有沿垂直所述信号线延伸方向的凹槽,所述凹槽中填充有包括有机绝缘材料的绝缘体,且所述绝缘体在背离所述衬底基板一侧的表面和所述膜层中与所述信号线接触的表面平齐。
11.根据权利要求10所述的柔性阵列基板的制备方法,其特征在于,至少一个所述凹陷部由通孔形成。
12.根据权利要求10所述的柔性阵列基板的制备方法,其特征在于,所述在形成有所述绝缘层的所述衬底基板上形成覆盖所述凹陷部组的辅助线包括:
在形成有所述绝缘层的所述衬底基板上采用导电材料形成覆盖所述凹陷部组的辅助线。
13.一种显示基板,其特征在于,包括权利要求1-9任一项所述的柔性阵列基板。
14.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求13所述的显示基板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711163249.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的