[发明专利]一种增强显影后光刻胶粘附性的方法在审
| 申请号： | 201711163302.0 | 申请日： | 2017-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN107942623A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 宗立超;王星杰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/26 | 分类号： | G03F7/26;G03F7/40;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 增强 显影 光刻 胶粘 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种增强显影后光刻胶粘附性的方法，其特征在于：包含如下的工艺步骤：
第一步，涂覆光刻胶；
第二步，光刻胶曝光及显影；
第三步，光刻胶对准测量；
第四步，光刻胶关键尺寸测量；
第五步，深紫外光曝光坚膜；
第六步，使用去离子水对硅片进行清洗浸润；
第七步，进行高剂量的离子注入；
第八步，去除光刻胶；
第九步，光刻胶去胶检查。
2.如权利要求1所述的增强显影后光刻胶粘附性的方法，其特征在于：所述光刻胶，采用正性光刻胶，或者负性光刻胶；涂覆工艺采用旋转涂胶法。
3.如权利要求1所述的增强显影后光刻胶粘附性的方法，其特征在于：所述第四步光刻胶的关键尺寸测量，包括线宽及间距的检查。
4.如权利要求1所述的增强显影后光刻胶粘附性的方法，其特征在于：所述第六步中，去离子水清洗方法是，刷洗器将晶圆承载在一个旋转的真空吸盘上，去离子水流经晶圆表面，晶圆旋转使去离子水被迫进入光刻胶与晶圆表面的极小空间，从而增加了光刻胶的粘附性。
5.如权利要求1所述的增强显影后光刻胶粘附性的方法，其特征在于：所述第八步，去除光刻胶采用等离子体去胶法。
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