[发明专利]一种薄膜的制备方法及其应用、QLED器件

说明书

本发明公开了一种薄膜的制备方法及其应用、QLED器件，所述制备方法包括步骤：将第一金属盐溶液和第二金属盐溶液混合，加入第一燃料，混合均匀后得到混合液，将混合液沉积成膜，加热使第一燃料分解放热，促进第一金属盐与第二金属盐反应得到薄膜；其中，第一燃料为反应体系中温度在120℃以上即可发生分解反应的燃料，第一金属为正二价态金属元素和正三价金属元素中的一种或多种，第二金属为正三价态金属和正四价态金属元素中的一种或多种。本发明利用利用第一燃料在较低温度即可以分解放出大量的热量的特点，在较低温度下促使溶液状态的金属第一金属盐与金属第二金属盐反应，形成金属氧化物薄膜，薄膜的致密性高、均匀性好，解决了现有方法制备的钙钛矿型金属氧化物质量不佳，影响其在QLED器件中的应用的问题。

技术领域

本发明涉及钙钛矿型金属氧化物技术领域，尤其涉及一种薄膜的制备方法及其应用、QLED器件。

背景技术

钙钛矿型金属氧化物为一种钙钛矿型材料，具有极其稳定的性能，被应用到光伏器件或者传感器中，其作为n型宽带隙半导体材料，带隙约为3.2 ev具有传输电子的特性，可以作为电子传输层被应用到QLED中。但是目前合成该材料的方法都是使用高温合成或者使用磁控溅射的方法，这些方法都会对QD层造成损害，而限制了该材料在QLED器件中的应用。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于一种薄膜的制备方法及其应用、QLED器件，旨在解决现有方法制备的钙钛矿型金属氧化物质量不佳，影响其在QLED器件中的应用的问题。

本发明的技术方案如下：

一种薄膜的制备方法，其中，包括步骤：将第一金属盐溶液和第二金属盐溶液混合，加入第一燃料，混合均匀后得到混合液，将混合液沉积成膜，加热使第一燃料分解放热，促进第一金属盐和第二金属盐反应得到薄膜；

其中，第一燃料发为反应体系中温度在120℃以上即可发生分解反应的燃料，第一金属为正二价态金属元素和正三价金属元素中一种或多种，第二金属为正三价态金属和正四价态金属元素中一种或多种。

所述的薄膜的制备方法，其中，所有的第一金属盐的第一金属金属元素与所有的第二金属盐的第二金属元素的摩尔比为1:1。

所述的薄膜的制备方法，其中，所述第一燃料为乙酰丙酮。

所述的薄膜的制备方法，其中，乙酰丙酮与第一金属金属元素的摩尔比为2:1~7:1。

所述的薄膜的制备方法，其中，所述加热温度为120-140℃。

所述的薄膜的制备方法，其中，所述将混合液成膜前还包括向混合液中加入第二燃料的步骤，所述第二燃料为反应体系中温度在150℃以上即可发生分解反应的燃料。

所述的薄膜的制备方法，其中，所述第二燃料为尿素、甘氨酸、蔗糖、葡萄糖、柠檬酸中一种或多种。

所述的钙钛矿型金属氧化物的制备方法，其中，所述第二燃料与第一金属金属元素的摩尔比为0.8:1~1.2:1。

所述的薄膜的制备方法，其中，所述第一金属为Ca、Sr、Ba、La、Sc中的一种或多种，第二金属为Ti、Zr、Sn、Fe、Al、Ga中一种或多种。

一种薄膜制备方法的应用，其中，提供基板，在基板上沉积如上所述方法制备的薄膜，形成电子传输层。

一种QLED器件，所述QLED器件包括第一电极、电子传输层、发光层和第二电极，其中，所述电子传输层由如上所述方法制备的薄膜制成。