[发明专利]SONOS读时序电路

说明书

本发明公开了一种SONOS读时序电路,包含：第一及第二PMOS管，第一及第二NMOS管，以及一个电容；其中第一PMOS与第一NMOS串联，第二PMOS与第二NMOS串联；第一PMOS与第二PMOS的源极接电源；第一PMOS与第一NMOS的栅极并联后接输入，第一PMOS与第一NMOS的串联节点接第二PMOS及第二NMOS的栅极；第二PMOS与第二NMOS的串联节点为输出端口，第二NMOS的源极接地；所述电容一端接地，另一端接第二PMOS及第二NMOS的栅极；所述第一NMOS的源极通过一旁路电流源接地。本发明采用具有正负温度系数的旁路电流源，对被选中读的单元的预充电时间和产生灵敏放大器比较数据“0”或“1”的时间时序进行重新分配，保证读时序电路在低温下也能稳定有效读取数据。

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别是指一种非易失存储器的SONOS读时序电路。

背景技术

NVM（Non-volatile Memory），非易失存储器，具有非易失、按字节存取、存储密度高、低能耗、读写性能接近DRAM的特点。电子设备能快速地访问该存储器存储空间的内容（大多数情况下此类设备都是以字节方式地访问这些内容，并且掉电后也能保存它们）。它不用定期地刷新存储器内容。这包括所有形式的只读存储器（ROM），像是可编程只读存储器（PROM）、可擦可编程只读存储器（EPROM）、电可擦除只读存储器（EEPROM）和闪存。它也包括电池供电的随机存取储存器（RAM）。

SONOS(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon，硅-氧化物-氮化物-氧化硅-硅，又称硅氧化氮氧化硅 )器件，现有的SONOS器件的存储单元通常由一个SONOS存储晶体管(简称为存储管)和一个高压选择晶体管（简称为选择管）组成。其中存储管用来存储数据，选择管用来完成数据地址的选择。

如图1所示为NVM SONOS 单元cell的读时序图，其中：

Tcl: 被选中读的地址建立时间（setup time）；

Tpc: 被选中读的cell预充电时间；

Tsa: 灵敏放大器比较数据“0” 或者 “1”的时间；

Tdy: 灵敏放大器锁存输出正确的“0”/“1”所需要的时间；

Taa: 一个完整读周期。

其中Tpc时间越长，读“0”会变差；Tsa时间变长，读“0”或者读”1”均会有益；

SONOS cell本身会随着温度降低而读 “0”变差。

总的来说，在现有的电路时序中，上述4段时序会随着温度降低同时偏大，由于低温下读“0” cell本身偏弱，Tpc时间的变长更是不利于读“0”。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种SONOS读时序电路，具有温度补偿功能，让读取电路工作更稳定。

为解决上述问题，本发明所述的SONOS读时序电路，包含：

第一及第二PMOS管，第一及第二NMOS管，以及一个电容；

其中第一PMOS与第一NMOS串联，第二PMOS与第二NMOS串联；

第一PMOS与第二PMOS的源极接电源；

第一PMOS与第一NMOS的栅极并联后接输入，第一PMOS与第一NMOS的串联节点接第二PMOS及第二NMOS的栅极；

第二PMOS与第二NMOS的串联节点为输出端口，第二NMOS的源极接地；

所述电容一端接地，另一端接第二PMOS及第二NMOS的栅极；

所述第一NMOS的源极通过一旁路电流源接地；