[发明专利]一种厚膜混合集成电路及其批量生产控制方法

说明书

一种厚膜混合集成电路及其批量生产控制方法，该包括厚膜电阻R6、厚膜电阻R7、瓷片电容C2、瓷片电容C3。对厚膜电阻R6与厚膜电阻R7进行分档测试时，横厚膜电阻R6标A*，按A1‑A7档分类标识于子陶瓷片左侧；竖厚膜电阻R7标X*，按X1‑X7档分类标识于子陶瓷片右侧。对C2与C3进行分档测试时，按B1‑B7档分类标识置于相同标识的小盒之内。Am与Bn对，Xm与Bn对，对Am与Bn之m与n的取值组合，优先考虑等于8进行组合,考虑批量生产电容的数量限制,其余依据不足的按6≤m+n≤10组合进行控制。本发明用于对轨道系统上的25Hz基信号进行精确采样、选频放大、整流与平滑处理，在工作信号幅度范围内，非线性可达到0.1%；该批量生产控制方法保障了产品的设计需要，满足了对应的厚膜混合集成电路批量生产。

技术领域

本发明涉及厚膜混合集成电路制作工艺领域，具体是一种厚膜混合集成电路及其批量生产控制方法。

背景技术

传统或常规的信号级采样、整流与处理电路的设计和调试方法，只适宜于板载个别样品电路的应用处理。对于批量应用而言，此类设计和处理方法无法实施。如铁路轨道系统中需要大量的性能良好、精度高、体积小巧的精密电子电路模块，用厚膜混合集成电路的方式生产的电子电路，可以对电子模块进行小型化。但是要用工作于非线性段的选频高阶精密整流线路来处理信号，当精度与指标要求足够高时，对批量处理应用来讲，几乎是难上加难、或者说几乎不可能。

发明内容

本发明提供一种厚膜混合集成电路及其批量生产控制方法，该厚膜混合集成电路用于对轨道系统上的25Hz基信号进行精确采样、选频放大、整流与平滑处理，在工作信号幅度范围内，非线性可达到0.1%；该批量生产控制方法保障了产品的设计需要，满足了对应的厚膜混合集成电路批量生产。

本发明采取的技术方案为：

一种厚膜混合集成电路，包括厚膜电阻R6、厚膜电阻R7、瓷片电容C2、瓷片电容C3。厚膜电阻R6另一端连接厚膜电阻R7一端，厚膜电阻R7另一端连接运算放大器U2的同相输入端。厚膜电阻R6另一端连接瓷片电容C2一端，瓷片电容C2另一端连接电阻R8一端、运算放大器U2的输出端，电阻R8另一端连接运算放大器U2的反相输入端。瓷片电容C3一端连接运算放大器U2的同相输入端，瓷片电容C3另一端接地。电阻R9一端连接运算放大器U2的反相输入端，电阻R9另一端接地。

所述厚膜电阻R6、瓷片电容C2形成第一组阻容对；厚膜电阻R7、瓷片电容C3形成第二组阻容对；

厚膜电阻R6与瓷片电容C2的乘积、以及厚膜电阻R7与瓷片电容C3的乘积保持精确固定，其积的精度误差需控制到0.11%以内。

所述厚膜电阻R6、厚膜电阻R7阻值为：615.0±1.0KΩ，精度要求控制在0.15%以内。

所述瓷片电容C2、瓷片电容C3为：NPO/1206/1%高精度瓷片电容。

该电路工作于二阶选频非线性工作点。

一种厚膜混合集成电路批量生产控制方法，对厚膜电阻R6与厚膜电阻R7进行分档测试时，横厚膜电阻R6标A*，按A1-A7档分类标识于子陶瓷片左侧；竖厚膜电阻R7标X*，按X1-X7档分类标识于子陶瓷片右侧；分档参数如下：

616.00K-615.76K标 A7，

615.75K-615.46K标A6，

615.45K-615.16K标A5，

615.15K-614.86K标A4，

 614.85K-614.56K标A3，

614.55K-614.26K标A2，

614.25K-614.00K标A1；