[发明专利]一种使用杂交MOS管的MRAM芯片

权利要求书

1.一种MRAM芯片，包括外部电路和由若干个存储单元组成的存储单元阵列，所述存储单元阵列通过字线和位线与所述外部电路连接，其特征在于，每个所述存储单元由磁性隧道结和杂交NMOS管组成，且至少符合下述要求：

所述杂交NMOS管通过以下方式制成：使用1.8V器件的光罩层，形成t＝3.61nm的氧化层，将栅极宽度设计成L＝55nm，按上述设计蚀刻加工，形成杂交NMOS管；

所述杂交NMOS管的栅极宽度是标准NMOS管的栅极宽度的85％～130％。

2.根据权利要求1所述的一种MRAM芯片，其特征在于，所述杂交NMOS管的氧化层厚度大于标准NMOS管的氧化层厚度。

3.根据权利要求2所述的一种MRAM芯片，其特征在于，所述杂交NMOS管的栅极耐压大于标准NMOS管的栅极耐压，所述杂交NMOS管的源极耐压与标准NMOS管的源极耐压相同或接近，所述杂交NMOS管的漏极耐压与标准NMOS管的漏极耐压相同或接近。

4.根据权利要求3所述的一种MRAM芯片，其特征在于，所述杂交NMOS管的栅极耐压为1.8V～3.3V。

5.根据权利要求1所述的一种MRAM芯片，其特征在于，所述杂交NMOS管的源极和漏极由标准N⁺掺杂工艺制得。

6.根据权利要求1所述的一种MRAM芯片，其特征在于，所述杂交NMOS管的源极尺寸与标准NMOS管的源极尺寸相同，所述杂交NMOS管的漏极尺寸与标准NMOS管的漏极尺寸相同。

7.根据权利要求1所述的一种MRAM芯片，其特征在于，所述杂交NMOS管的各个触点由标准工艺制得。

8.根据权利要求1所述的一种MRAM芯片，其特征在于，所述杂交NMOS管与所述字线连接。

9.根据权利要求1所述的一种MRAM芯片，其特征在于，所述外部电路包括：行地址解码器、列地址解码器、读写控制器、输入输出控制器。