[发明专利]发光装置在审
申请号: | 201711164984.7 | 申请日: | 2017-11-21 |
公开(公告)号: | CN107968145A | 公开(公告)日: | 2018-04-27 |
发明(设计)人: | 张正杰;杨文玮;蔡正晔 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/60 | 分类号: | H01L33/60;H01L33/62 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人: | 黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 | ||
技术领域
本发明是有关于一种发光装置,且特别是有关于一种具有阶梯结构的发光装置。
背景技术
发光二极管(light emitting diode;LED)具有诸如寿命长、体积小、高抗震性、低热产生及低功率消耗等优点,因此已被广泛应用于家用及各种设备中的指示器或光源。近年来,发光二极管已朝多色彩及高亮度发展,因此其应用领域已扩展至大型户外看板、交通号志灯及相关领域。在未来,发光二极管甚至可能成为兼具省电及环保功能的主要照明光源。
因此,如何进一步提升发光二极管的发光效率,实已成目前亟欲解决的课题。
发明内容
本发明提供一种发光装置,以具有较佳的光取出效率(Light extraction efficiency)。
本发明提供一种发光装置,以具有较佳的发光效率。
本发明提供一种发光装置,包括第一半导体层、发光层、第二半导体层、第一电极以及第二电极。发光层位于第一半导体层上。第二半导体层位于发光层上。第一电极与第一半导体层电连接。第二电极与第二半导体层电连接。第一半导体层、发光层与第二半导体层形成阶梯结构,其中阶梯结构包括第一电极连接面、第二电极连接面以及连接部。第一电极连接面位于第一半导体层上。第二电极连接面位于第二半导体层上。连接部连接第一电极连接面与第二电极连接面。连接部至少包含第一表面、第二表面、第三表面。第一表面与第二表面之间形成第一转角部。第二表面与第三表面之间形成第二转角部。
基于上述,本发明的发光装置具有阶梯结构。因此,可以提升光取出效率,进而增加发光装置的发光效率。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附图式作详细说明如下。
附图说明
图1A、图2A及图3A依序是依照本发明第一实施例的发光装置的制造流程的上视示意图。
图3A是依照本发明第一实施例的发光装置的上视示意图。
图1B是图1A的发光装置的制造流程沿剖面线A-A’的剖面示意图。
图2B是图2A的发光装置的制造流程沿剖面线B-B’的剖面示意图。
图2C是图2A的阶梯结构的立体示意图。
图3B是图3A的发光装置的沿剖面线C-C’的剖面示意图。
图3C是图3A的发光装置的立体示意图。
图4是依照本发明第二实施例的发光装置的剖面示意图。
图5是依照本发明第三实施例的发光装置的剖面示意图。
图6是依照本发明第四实施例的发光装置的剖面示意图。
图7是依照本发明第五实施例的发光装置的剖面示意图。
图8是依照本发明一实施例的显示面板的局部上视示意图。
符号说明:
100、400、500、600、700:发光装置
800:显示面板
110:基材
111:凹陷处
111a:内凹面
120、220、320:第一半导体层
130、230:发光层
140、240:第二半导体层
150:图案化绝缘层
170:第一电极
180:第二电极
290:粘着层
292:导通孔
BS:底面
LS、LS’、LS”:阶梯结构
ES1:第一电极连接面
ES2:第二电极连接面
CP:连接部
S1:第一表面
S2:第二表面
S3:第三表面
S4:第四表面
S5:第五表面
SW1:第一侧壁
SW2:第二侧壁
SW3:第三侧壁
SW4:第四侧壁
C1:第一转角部
C2:第二转角部
C3:第三转角部
C4:第四转角部
H1:第一高度
H2:第二高度
SUB:基板
T:主动元件
S:源极
D:漏极
G:栅极
SM:通道层
RL:反射层
CL:共通线
PU:像素单元
具体实施方式
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