[发明专利]显示面板及其制造方法在审
申请号: | 201711165061.3 | 申请日: | 2017-11-21 |
公开(公告)号: | CN109494239A | 公开(公告)日: | 2019-03-19 |
发明(设计)人: | 刘昱辰 | 申请(专利权)人: | 创王光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;G02B5/30 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 李昕巍;章侃铱 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 配向层 光敏 显示元件 圆形偏光 抗反射结构 液晶 显示面板 吸光层 波长 覆盖层 偏光片 像素 反射结构 液晶分子 光硬化 一抗 制造 敏感 配置 吸收 | ||
本公开关于一种显示面板及其制造方法,该显示面板包含一显示元件、一吸光层、一抗反射结构以及一覆盖层。该显示元件包含多个像素。该吸光层位于该显示元件上方并且经配置以吸收一波长范围内的一光。该抗反射结构位于该显示元件的该多个像素上方,其中该抗反射结构包含一光敏配向层、一液晶圆形偏光片以及一线形偏光片。该光敏配向层位于该吸光层上方,其中该光敏配向层对于该波长范围内的该光为敏感的,并且可被到该波长范围内的该光硬化。该液晶圆形偏光片位于该光敏配向层上方,其中该液晶圆形偏光片包含由该光敏配向层排列的多个液晶分子。该线形偏光片位于该液晶圆形偏光片上方。该覆盖层位于该抗反射结构上方。
技术领域
本公开关于一种显示面板及其制造方法,特别是一种有机发光二极管显示面板及其制造方法。
背景技术
显示面板(例如有机发光二极管(organic light-emitting diode,OLED)显示面板)已经被整合于各种电子装置中,例如智能手机,以提供显示功能。然而,显示面板于户外使用时会受到环境光线的影响,而使显示面板的可见性恶化。
发明内容
本公开的实施例提供一种显示面板,所述显示面板包含一显示元件、一吸光层、一抗反射结构以及一覆盖层。所述显示元件包含多个像素。所述吸光层位于所述显示元件上方并且经配置以吸收一波长范围内的一光。所述抗反射结构位于所述显示元件的所述多个像素上方,其中所述抗反射结构包含一光敏配向层、一液晶圆形偏光片以及一线形偏光片。所述光敏配向层位于所述吸光层上方,其中所述光敏配向层对于所述波长范围内的所述光为敏感的,并且可被所述波长范围内的所述光硬化。所述液晶圆形偏光片位于所述光敏配向层上方,其中所述液晶圆形偏光片包含由所述光敏配向层排列的多个液晶分子。所述线形偏光片位于所述液晶圆形偏光片上方。所述覆盖层位于所述抗反射结构上方。
在一些实施例中,所述吸光层经配置以吸收一不可见光。
在一些实施例中,所述吸光层包括一UV光吸收层,以及所述波长范围实质在200nm与400nm之间。
在一些实施例中,所述液晶圆形偏光片经配置为1/4波长延迟层。
在一些实施例中,所述显示元件包含一有机发光二极管(OLED)元件,以及所述多个像素各自包含一阳极、位于所述阳极上方的一有机发光层以及位于所述有机发光层上方的一阴极。
在一些实施例中,所述光敏配向层具有一硬化温度,所述硬化温度低于所述有机发光层的一玻璃转化温度。
在一些实施例中,所述显示面板还包含一薄膜封装层,位于所述显示元件与所述吸光层之间。
在一些实施例中,所述显示面板还包含一触控输入元件,位于所述显示元件与所述覆盖层之间。
在一些实施例中,所述显示面板还包含至少一抗反射层,位于所述显示元件与所述覆盖层之间。
在一些实施例中,所述抗反射层位于所述线形偏光片与所述覆盖层之间。
在一些实施例中,所述抗反射层位于所述吸光层与所述显示元件之间。
在一些实施例中,所述抗反射层包括一结构层,所述结构层包含多个突出结构与所述线形偏光片相对设置。
在一些实施例中,所述抗反射层还包括一光学层与所述结构层接触,以及所述光学层的一表面与所述等突出结构嵌合。
在一些实施例中,所述光学层的一折射率小于所述结构层的一折射率。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于创王光电股份有限公司,未经创王光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711165061.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:有机发光二极管显示器件
- 下一篇:显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的