[发明专利]载置台和等离子体处理装置

说明书

本发明提供一种载置台和具有该载置台的等离子体处理装置。该载置台包括：被施加高频电力的基座；被施加高频电力的基座；设置在基座上，具有用于载置被处理体的载置区域和包围载置区域的外周区域的静电卡盘；设置在载置区域的内部的加热器；与加热器连接并延伸至外周区域的内部的配线层；在外周区域与配线层的接点部连接的供电端子；和导电层，其设置在外周区域的内部或者设置在位于外周区域之外的厚度方向上的其它区域，从外周区域的厚度方向看时与供电端子重叠。由此，能够提高沿着被处理体的周向的电场强度的均匀性。

技术领域

本发明的各方面和实施方式涉及载置台和等离子体处理装置。

背景技术

等离子体处理装置在配置于处理容器内部的载置台上载置被处理体。载置台例如具有基座和静电卡盘等。基座被施加等离子体生成用的高频电力。静电卡盘由电介质形成，设置在基座上，具有用于载置被处理体的载置区域和包围载置区域的外周区域。

另外，有时在静电卡盘的内部设置有用于进行被处理体的温度控制的加热器。例如已知在静电卡盘中的载置区域的内部设置加热器，使与加热器连接的配线层延伸至外周区域的内部，在外周区域连接配线层的接点部和加热器用的供电端子的构造。其中，在这样的构造中，被施加到基座的高频电力的一部分从加热器用的供电端子向外部的电源泄漏，高频电力被浪费消耗。

对此，已知有以下技术，即：在连接加热器用的供电端子与外部的电源的供电线设置滤波器，以使得被施加到基座而从加热器用的供电端子向供电线泄漏的高频电力衰减。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-175573号公报

专利文献2：日本特开2016-001688号公报

专利文献3：日本特开2014-003179号公报

发明内容

然而，由于滤波器与设置在静电卡盘的内部的加热器的数量对应地设置，因此，在滤波器的数量增多的情况下，从避免装置的大型化的观点出发，作为各滤波器有时使用阻抗值低的小型的滤波器。这样的小型的滤波器应用于载置台的情况下，从加热器用的供电端子向供电线泄漏的高频电力不会被充分衰减，在被处理体的周向上的位置中的与加热器用的供电端子对应的位置，电位局部降低。其结果，有可能使沿被处理体的周向上的电场强度的均匀性受到损害。

本发明是为了解决上述问题而提出的，其公开了一种载置台，在一个实施方式中，该载置台具有被施加高频电力的基座；静电卡盘，其设置在所述基座上，具有用于载置被处理体的载置区域和包围所述载置区域的外周区域；设置在所述载置区域的内部的加热器；与所述加热器连接并延伸至所述外周区域的内部的配线层；在所述外周区域与所述配线层的接点部连接的供电端子；和导电层，其设置在所述外周区域的内部或者设置在位于所述外周区域之外的所述外周区域的厚度方向上的其它区域，从所述外周区域的厚度方向看时与所述供电端子重叠。

根据公开的一个实施方式的载置台，起到能够提高沿被处理体的周向上的电场强度的均匀性的效果。

附图说明

图1是概略地表示一实施方式的等离子体处理装置的图。

图2是表示一实施方式的载置台的俯视图。

图3是图2的I-I线的剖视图。

图4是表示一实施方式的基座、静电卡盘和聚焦环的结构的一例的剖视图。

图5是用于说明一实施方式的导电层的作用的一例的图。

图6是用于说明一实施方式的导电层的作用的一例的图。

图7是表示与有无导电层相对应的电场强度的模拟结果的图。