[发明专利]具有发光结构的显示设备有效
申请号: | 201711165421.X | 申请日: | 2017-11-21 |
公开(公告)号: | CN108122949B | 公开(公告)日: | 2021-12-17 |
发明(设计)人: | 崔浩源 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 康建峰;陈炜 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 发光 结构 显示 设备 | ||
提供了一种具有发光结构的显示设备,该显示设备在单个子像素区上包括两个发光结构。在显示设备中,两个发光结构朝向相应子像素区的中心倾斜。
本申请要求于2016年11月30日提交的韩国专利申请第10-2016-0162334号的优先权,该申请在此通过引用并入本文,如同在本文中被完全阐述。
技术领域
本公开内容涉及包括发光结构的显示设备,发光结构生成实现特定颜色的光。
背景技术
诸如监视器、TV、膝上型计算机和数字摄像装置之类的电子电器包括用于实现图像的显示设备。例如,显示设备可以包括液晶显示设备或有机发光显示设备。
显示设备可以包括子像素区。相邻的子像素区可以实现彼此不同的颜色。例如,显示设备可以包括显示红颜色的红子像素区、显示蓝颜色的蓝子像素区、显示绿颜色的绿子像素区和显示白颜色的白子像素区。
可以在显示设备的每个子像素区上设置生成实现特定颜色的光的发光结构。例如,发光结构可以包括依次堆叠的下电极、发光层和上电极。
在显示设备中,由于成形处理所生成的颗粒,发光结构的上电极可能部分地连接至下电极。例如,制造显示设备的方法可以包括修复处理,修复处理是去除发光结构的下电极与上电极之间的接触区域的处理。
然而,由于通过修复处理去除了下电极和/或上电极的区域起暗点的作用,因此可能减小显示设备的发射区。更具体地,在包括相对小的开放区的高分辨率显示设备中,由于暗点减小了发射区,颜色的清晰度可能降低。
发明内容
因此,本公开内容涉及具有发光结构的显示设备,该显示设备基本上消除了由于相关技术的限制和缺点所导致的一个或更多个问题。
本公开内容的一个目的是提供一种可以防止因修复处理而减小发射区的显示设备。
本公开内容的另一目的是提供一种不论因修复处理而造成的暗点如何都足以保护发射区的显示设备。
另外的优点、目的和特征的一部分将在下面的描述中阐述,而一部分对本领域普通技术人员而言在阅读以下描述后将变得明显,或者可以从所公开原理的实践中学习到。通过在所撰写的说明书及其权利要求书以及附图中具体指出的结构可以实现和得到所述目的和其他优点。
如在本文中体现和广泛描述的那样,为了实现这些目的和其他优点,并且根据本公开内容的目的,提供了一种包括下基板的显示设备。下基板包括用于产生特定颜色的子像素区。在下基板的子像素区上设置有第一发光结构和第二发光结构。第一发光结构和第二发光结构相对于下基板倾斜。第一发光结构由依次堆叠的第一下电极、第一发光层和第一上电极限定。第二发光结构由依次堆叠的第二下电极、第二发光层和第二上电极限定,第二下电极与第一下电极间隔开。相对于下基板的子像素区,第二发光结构的至少一部分与第一发光结构的至少一部分在相对的方向上倾斜。
下基板与第一下电极的上表面之间的距离朝向子像素区的中心减小,以及下基板与第二下电极的上表面之间的距离可以朝向子像素区的中心减小。
在下基板与第一发光结构之间可以设置薄膜晶体管。薄膜晶体管可以包括连接至第一下电极和第二下电极的漏电极。
在薄膜晶体管上可以设置下钝化层。下钝化层可以覆盖薄膜晶体管。下钝化层可以包括第一接触孔和第二接触孔,第一接触孔和第二接触孔分别暴露出漏电极。第一下电极和第二下电极可以与下钝化层直接接触。
第二发光层可以包括与第一发光层相同的材料。
第二发光层可以连接至第一发光层。第二上电极可以连接至第一上电极。
在第一发光结构上可以设置颜色过滤器。颜色过滤器可以延伸至第二发光结构上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于乐金显示有限公司,未经乐金显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711165421.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的