[发明专利]一种用于三维存储器阵列区共源极的测量方法

权利要求书

1.一种用于三维存储器阵列区共源极的测量方法，所述三维存储器阵列区共源极包含位于接触孔内下部的多晶硅层以及位于多晶硅层之上的钨金属层，所述方法包括如下步骤：

制备三维存储器芯片结构；

阵列区共源极测量样品的准备；

共源极多晶硅层电阻的测量。

2.如权利要求1所述的一种用于三维存储器阵列区共源极的测量方法，其特征在于，所述三维存储器结构包括用于实现存储的阵列区、台阶区以及外围电路区，所述阵列区包括多个接触孔，所述接触孔中形成有共源极结构。

3.如权利要求1所述的一种用于三维存储器阵列区共源极的测量方法，其特征在于，阵列区共源极测量样品的准备包括，将制备好的三维存储器芯片进行研磨处理，并研磨至暴露出所述接触孔，选择需要测量的共源极作为测量目标，使用聚焦粒子束对所述测量目标做标记，接着继续使用聚焦粒子束将目标区域的阵列区共源极的长度为L的部分金属钨层去除，以便露出金属钨层下部的多晶硅层进行电阻测试。

4.如权利要求1所述的一种用于三维存储器阵列区共源极的测量方法，其特征在于，共源极多晶硅层电阻的测量包括，将上述样品放至纳米探针台中,对暴露出的多晶硅层的电阻进行测量，得出共源极多晶硅层的电阻值R。

5.如权利要求1-4中任一项所述的一种用于三维存储器阵列区共源极的测量方法，其特征在于，在测量得到共源极多晶硅层的电阻值之后，还包括如下步骤：

使用聚焦离子束将被测目标处的阵列区共源极进行切片分析，测量得出该目标区域的多晶硅层的高度H以及宽度W；

计算目标区域的多晶硅层的方块电阻Rs，计算公式如下公式所示，Rs＝R*H/(L/W)。

6.如权利要求1-6中任一项所述的一种用于三维存储器阵列区共源极的测量方法，其特征在于，阵列区共源极测量样品的准备步骤中，在研磨至暴露出所述接触孔之后还包括：清洗研磨表面的脏污，并通过加热烘烤去除水分。

7.如权利要求1-6中任一项所述的一种用于三维存储器阵列区共源极的测量方法，其特征在于，被去除的金属钨层的长度L为5至15微米。

8.如权利要求7所述的一种用于三维存储器阵列区共源极的测量方法，其特征在于，被去除的金属钨层的长度L为10微米。

9.如权利要求1-6中任一项所述的一种用于三维存储器阵列区共源极的测量方法，其特征在于，对暴露出的多晶硅层的电阻进行测量使用的方法为四探针测量法。