[发明专利]背沟道蚀刻型TFT基板及其制作方法在审
| 申请号： | 201711167355.X | 申请日： | 2017-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN107968095A | 公开（公告）日： | 2018-04-27 |
| 发明（设计）人： | 姜春生 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所44265 | 代理人： | 林才桂,闻盼盼 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟道 蚀刻 tft 及其 制作方法 | ||
1.一种背沟道蚀刻型TFT基板的制作方法，其特征在于，包括：
提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成栅极(20)，在所述栅极(20)及衬底基板(10)上形成栅极绝缘层(30)；
在所述栅极绝缘层(30)上形成C轴结晶IGZO薄膜，对所述C轴结晶IGZO薄膜进行图形化处理后，得到有源层(40)；
在所述有源层(40)上形成间隔设置的源极(51)与漏极(52)。
2.如权利要求1所述的背沟道蚀刻型TFT基板的制作方法，其特征在于，在所述栅极绝缘层(30)上形成C轴结晶IGZO薄膜的步骤包括：
采用磁控溅射方法在栅极绝缘层(30)上沉积非晶IGZO薄膜，溅射沉积过程中，在反应腔体内添加氧气，且氧气在反应腔体内气体总量中的体积百分比大于40％，得到的非晶IGZO薄膜中铟镓锌氧的摩尔比为In：Ga：Zn：O＝1：1：1：X，其中X大于4；
对非晶IGZO薄膜进行退火处理，得到C轴结晶IGZO薄膜。
3.如权利要求2所述的背沟道蚀刻型TFT基板的制作方法，其特征在于，所述C轴结晶IGZO薄膜中铟镓锌氧的摩尔比为In：Ga：Zn：O＝1：1：1：X，其中X大于4。
4.如权利要求2所述的背沟道蚀刻型TFT基板的制作方法，其特征在于，对非晶IGZO薄膜进行退火处理的退火温度小于或等于600℃。
5.如权利要求1所述的背沟道蚀刻型TFT基板的制作方法，其特征在于，所述源极(51)与漏极(52)的材料包括铜。
6.一种背沟道蚀刻型TFT基板，其特征在于，包括：衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的栅极(20)、设于所述栅极(20)及衬底基板(10)上的栅极绝缘层(30)、设于所述栅极绝缘层(30)上的有源层(40)、及设于所述有源层(40)上且间隔设置的源极(51)与漏极(52)；其中，所述有源层(40)为C轴结晶IGZO薄膜。
7.如权利要求6所述的背沟道蚀刻型TFT基板，其特征在于，所述C轴结晶IGZO薄膜中铟镓锌氧的摩尔比为In：Ga：Zn：O＝1：1：1：X，其中X大于4。
8.如权利要求6所述的背沟道蚀刻型TFT基板，其特征在于，所述源极(51)与漏极(52)的材料包括铜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
