[发明专利]一种精确控制浅沟槽隔离的整体形貌和性能的方法有效
申请号: | 201711167683.X | 申请日: | 2017-11-21 |
公开(公告)号: | CN108010869B | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
发明(设计)人: | 许进;唐在峰;任昱 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 精确 控制 沟槽 隔离 整体 形貌 性能 方法 | ||
1.一种精确控制浅沟槽隔离的整体形貌和性能的方法,其特征在于,利用光学线宽测量仪测量不同透光率下浅沟槽刻蚀的立体腰部形貌参数,从而根据浅沟槽刻蚀的立体腰部形貌参数定义适合刻蚀菜单的透光率区间,以精确控制浅沟槽隔离的整体形貌和性能;所述立体腰部形貌参数为沟槽腰部凹陷。
2.如权利要求1所述的精确控制浅沟槽隔离的整体形貌和性能的方法,其特征在于,利用光学线宽测量仪测量不同透光率下浅沟槽刻蚀的包括立体腰部形貌参数在内的两种以上立体形貌参数,从而根据浅沟槽刻蚀的包括立体腰部形貌参数在内的两种以上立体形貌参数来定义适合刻蚀菜单的透光率区间,精确控制浅沟槽隔离的整体形貌和性能。
3.如权利要求1所述的精确控制浅沟槽隔离的整体形貌和性能的方法,其特征在于,利用光学线宽测量仪精确量测同一刻蚀条件下,不同透光率条件下浅沟槽的立体腰部形貌,通过建立立体腰部形貌参数与透光率之间的关系模型,来定义适合刻蚀菜单的透光率区间。
4.如权利要求3所述的精确控制浅沟槽隔离的整体形貌和性能的方法,其特征在于,包括以下步骤:
首先,对不同晶圆进行不同透光率光罩进行曝光;
其次,对该不同透光率下的晶圆使用同一菜单刻蚀;
再次,对该不同透光率下的晶圆,利用光学线宽测量仪,量测浅沟槽的立体腰部形貌参数;
最后,建立不同透光率和立体腰部形貌参数之间的关系模型,根据该关系模型定义适合该刻蚀菜单的不同透光率区间。
5.如权利要求1-4中任一项所述的精确控制浅沟槽隔离的整体形貌和性能的方法,其特征在于,包括采用沟槽代替浅沟槽的步骤,利用光学线宽测量仪测量不同透光率下沟槽刻蚀的立体腰部形貌参数或者包括立体腰部形貌参数在内的两种以上立体形貌参数,从而根据沟槽刻蚀的立体腰部形貌参数或者包括立体腰部形貌参数在内的两种以上立体形貌参数来定义适合刻蚀菜单的透光率区间,以精确控制沟槽隔离的整体形貌和性能。
6.如权利要求1-4中任一项所述的精确控制浅沟槽隔离的整体形貌和性能的方法,其特征在于,包括采用深沟槽代替浅沟槽的步骤,利用光学线宽测量仪测量不同透光率下深沟槽刻蚀的立体腰部形貌参数或者包括立体腰部形貌参数在内的两种以上立体形貌参数,从而根据深沟槽刻蚀的立体腰部形貌参数或者包括立体腰部形貌参数在内的两种以上立体形貌参数来定义适合刻蚀菜单的透光率区间,以精确控制深沟槽隔离的整体形貌和性能。
7.如权利要求1所述的精确控制浅沟槽隔离的整体形貌和性能的方法,其特征在于,浅沟槽是指半导体制造工艺的浅沟槽隔离工艺。
8.如权利要求2所述的精确控制浅沟槽隔离的整体形貌和性能的方法,其特征在于,利用光学线宽测量仪测量不同透光率下浅沟槽刻蚀的立体形貌参数包括:沟槽顶部关键线宽、沟槽腰部凹陷、沟槽深度、沟槽角度、氮化硅硬掩膜膜厚。
9.如权利要求5所述的精确控制浅沟槽隔离的整体形貌和性能的方法,其特征在于,利用光学线宽测量仪测量不同透光率下浅沟槽刻蚀的立体形貌参数包括:沟槽顶部关键线宽、沟槽腰部凹陷、沟槽深度、沟槽角度、氮化硅硬掩膜膜厚。
10.如权利要求6所述的精确控制浅沟槽隔离的整体形貌和性能的方法,其特征在于,利用光学线宽测量仪测量不同透光率下浅沟槽刻蚀的立体形貌参数包括:沟槽顶部关键线宽、沟槽腰部凹陷、沟槽深度、沟槽角度、氮化硅硬掩膜膜厚。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造