[发明专利]一种磷酸清洗控制装置及方法有效
申请号: | 201711167872.7 | 申请日: | 2017-11-21 |
公开(公告)号: | CN107946213B | 公开(公告)日: | 2020-03-13 |
发明(设计)人: | 吴良辉;蒋阳波;张静平;汪亚军;顾立勋;游晓英;宋东门;徐融 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/311 |
代理公司: | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人: | 刘广达 |
地址: | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 磷酸 清洗 控制 装置 方法 | ||
1.一种磷酸清洗控制装置,用于3D NAND存储器等级层堆栈制造,其特征是,包括以下结构:
第一控制器,其分别与硅监控器、空气阀、第二控制器连接;所述第一控制器根据硅监控器反馈的数据控制空气阀和/或第二控制器;
第二控制器,连接磷酸循环回路和第一控制器,用于控制磷酸循环回路中磷酸药液的排出;
硅监控器,连接磷酸循环回路,用于监测磷酸循环回路中的硅浓度,将硅浓度反馈给第一控制器;
空气阀,连接第一控制器和磷酸循环回路,控制磷酸循环回路中磷酸药液的补入;
磷酸循环回路,自所述空气阀引入磷酸药液,清洗待处理的3D NAND存储器等级层堆栈;所述磷酸循环回路外套保湿层。
2.根据权利要求1所述的一种磷酸清洗控制装置,其特征是:
所述第一控制器采用可编程逻辑控制器(PLC)。
3.根据权利要求1所述的一种磷酸清洗控制装置,其特征是:
所述硅监控器具有排出管,通过所述排出管在监测完后排出监控时引入的磷酸药液。
4.根据权利要求1所述的一种磷酸清洗控制装置,其特征是:
所述磷酸循环回路包括串联连接的泵、在线加热器、过滤器。
5.根据权利要求4所述的一种磷酸清洗控制装置,其特征是:
所述泵用于提供磷酸药液循环动力,使得药液沿着环形管路流通。
6.根据权利要求4所述的一种磷酸清洗控制装置,其特征是:
所述在线加热器加热磷酸循环管路中的药液,使其保持一定温度;所述过滤器用于过滤磷酸药液中的杂质。
7.根据权利要求1所述的一种磷酸清洗控制装置,其特征是:
所述第二控制器为ELC芯片。
8.一种磷酸清洗控制方法,其特征在于,其使用根据权利要求1-7任意一项所述的装置,包括以下步骤:
当硅监控器监测到磷酸循环回路中磷酸药液的硅浓度处于预定范围内时仅保持监控状态,第一控制器不向第二控制器发出控制命令;
当硅监控器监测到磷酸药液的硅浓度在预定范围之外时,第一控制器向第二控制器和空气阀发出控制命令,排出磷酸循环管路中的磷酸药液和/或补入新的磷酸药液,直到所述硅浓度恢复到预定范围内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造