[发明专利]晶圆清洗装置在审
申请号: | 201711167946.7 | 申请日: | 2017-11-21 |
公开(公告)号: | CN107946214A | 公开(公告)日: | 2018-04-20 |
发明(设计)人: | 吴良辉;蒋阳波;张静平;汪亚军;李君 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京辰权知识产权代理有限公司11619 | 代理人: | 郎志涛 |
地址: | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 清洗 装置 | ||
1.一种晶圆清洗装置,其特征在于,包括第一反应仓和仓盖,所述第一反应仓用于进行晶圆的清洗,所述仓盖的本体能够设于所述第一反应仓的上方,所述本体的内部设有多个与外界相通连接的介质通道,且多个所述介质通道彼此间互不连通,任一个所述介质通道的下方均设有与所述介质通道的内部相连通的喷嘴,用于清洗所述晶圆的各种介质能够通入各自对应的所述介质通道并通过所述介质通道下方的所述喷嘴喷射到所述晶圆的表面。
2.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述本体的顶部中心位置处设有伸出端,所述伸出端的内部设有多个介质管道,所述介质管道的数量与所述介质通道的数量一致,所述介质管道能够连接用于运输所述介质的介质管路和与所述介质对应的所述介质通道。
3.根据权利要求2所述的晶圆清洗装置,其特征在于,任一个所述介质通道的下方均设有多个喷嘴,多个所述喷嘴沿同一条直线设于所述本体的底部。
4.根据权利要求3所述的晶圆清洗装置,其特征在于,任一个所述介质通道下方的任一个所述喷嘴距所述晶圆的上表面的距离设定为使得从相邻两个所述喷嘴喷出的介质能够在所述晶圆的上表面交汇。
5.根据权利要求4所述的晶圆清洗装置,其特征在于,任一个所述介质通道下方的所述喷嘴的数量设定为使得当所述晶圆绕自身中轴线转动时从多个所述喷嘴喷出的介质能够覆盖所述晶圆的上表面从圆心位置至晶圆边缘的圆形区域。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述第一反应仓的下方依次设有多个反应仓,多个所述反应仓和所述第一反应仓同轴设于主反应仓的内部,用于支撑固定所述晶圆的旋转支架能够沿多个所述反应仓和所述第一反应仓的中心轴线方向进行上下移动。
7.根据权利要求6所述的晶圆清洗装置,其特征在于,多个所述反应仓包括第二反应仓和第三反应仓,所述第二反应仓的外侧壁上连接有第二化学介质排放管,所述第三反应仓的外侧壁上连接有第一化学介质排放管,所述第一反应仓的外侧壁上连接有排水管。
8.根据权利要求6所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述旋转支架的内部设有用于排放净化气体的气体通道。
9.根据权利要求6所述的晶圆清洗装置,其特征在于,还包括排气装置,所述排气装置设于所述主反应仓的外侧壁上并与所述主反应仓的内部相通连接。
10.根据权利要求5所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述圆形区域的半径为150mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造