[发明专利]一种基于恒流源的电缆网导通测试方法在审

专利信息
申请号: 201711168667.2 申请日: 2017-11-21
公开(公告)号: CN107942187A 公开(公告)日: 2018-04-20
发明(设计)人: 杨雪;黎云轩;方媛;尹禄高;石彦超;陈思阳;肖玥 申请(专利权)人: 北京宇航系统工程研究所;中国运载火箭技术研究院
主分类号: G01R31/02 分类号: G01R31/02
代理公司: 中国航天科技专利中心11009 代理人: 张晓飞
地址: 100076 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 恒流源 电缆 网导通 测试 方法
【权利要求书】:

1.一种基于恒流源的电缆网导通测试方法,其特征在于步骤如下:

1)将继电器阵列中所有继电器的一端并联后连接恒流源,同时将继电器阵列的剩余端口分别连接被测电缆网中各待测试设备的连接器;

2)设置测试电流和导通电阻阈值;

3)开启恒流源向继电器阵列输出恒定电流;

4)若被测电缆网连接关系已知,进入步骤5);若被测电缆网连接关系未知,进入步骤8);

5)选取一组设计值为相互导通的待测试设备组,对该组设计值为相互导通的待测试设备组的电缆网进行导通测试,确定导通的端口;

6)测试已确定导通的端口与电缆网中非该设备组连接器所连接继电器阵列端口的短路关系;

7)重复步骤5)-步骤)6)测试,直至完成电缆网中所有待测试设备组的电缆网导通测试,结束本方法;

8)测试并找出电缆网导通点,直至完成电缆网中所有待测试设备组的电缆网导通测试,结束本方法。

2.根据权利要求1所述的一种基于恒流源的电缆网导通测试方法,其特征在于:所述导通电阻阈值为电缆网中任意两设备连接器之间的理论电阻值。

3.根据权利要求1所述的一种基于恒流源的电缆网导通测试方法,其特征在于,所述步骤5)中对该组设计值为相互导通的待测试设备组的电缆网进行导通测试的具体方法为:

51)在继电器阵列连接该组待测试设备组连接器的端口中,任意将A、B两个端口的继电器闭合,其余连接设备组连接器的端口断开,根据A、B两个端口间的实际测量电阻值和导通电阻阈值判断A、B两点是否导通;

52)重复步骤51)直至完成该组待测试设备中所有端口的测试。

4.根据权利要求3所述的一种基于恒流源的电缆网导通测试方法,其特征在于,所述根据A、B两个端口间的实际测量电阻值和导通电阻阈值判断A、B两点是否导通的具体方法为:

测试A、B两个端口间的电压,并根据电压值计算A、B两个端口间电阻;

将A、B两个端口间的电阻与导通电阻阈值进行比较,若A、B两个端口间的实际测量电阻值大于导通电阻阈值,则判定A、B两点不导通,若A、B两点间的实际测量电阻值不大于导通电阻阈值,则判定A、B两个端口导通。

5.根据权利要求4所述的一种基于恒流源的电缆网导通测试方法,其特征在于:采用二分法测试已确定导通的端口与电缆网中非该设备组连接器所连接继电器阵列端口的短路关系。

6.根据权利要求4所述的一种基于恒流源的电缆网导通测试方法,其特征在于:采用二分法测试并找出电缆网导通点,直至完成电缆网中所有待测试设备组的电缆网导通测试。

7.根据权利要求5所述的一种基于恒流源的电缆网导通测试方法,其特征在于,所述使用二分法测试已确定导通的端口与电缆网中非该设备组连接器所连接继电器阵列端口的短路关系的方法为:

61)将所有确定导通的端口并联为A端口;

62)将电缆网中非该设备组连接器所连接继电器阵列端口并联为B端口;

63)根据A、B两个端口间的实际测量电阻值和导通电阻阈值判断A、B两个端口间是否导通,若两端口为不导通,则判定该短路关系确定完成;若两端口导通,则判定所有确定导通的端口与电缆网中非该设备组连接器所连接继电器阵列端口中有短路点,进入步骤64);

64)将所有并联在B端口的端口按数量平均分为两组,分别与A端口进行导通测试,将测试结果为导通的端口继续按数量平均分为两组,将直至找到所有与本组导通点的短路点为止。

8.根据权利要求6所述的一种基于恒流源的电缆网导通测试方法,其特征在于,所述使用二分法测试电缆网导通点的方法为:

81)选取继电器阵列中任意一个端口作为A端口,将剩余未测端口并联合并为一总端口作为B端口,

82)若A端口与B端口间不导通,则判定A端口测试完毕,没有导通点;若A端口与B端口间导通,则将合并为B端口的剩余未测端口按数量平均分为两组,每组的未测端口并联合并为一总端口分别与A端口进行导通测试,将导通的端口继续二分,直至找到所有与A端口导通的端口;

83)该端点测试完毕后,在剩余未测端口中重新选取任一端点重复步骤81)-82),直至电缆网中所有端点测试完成。

9.根据权利要求1-8任意所述的一种基于恒流源的电缆网导通测试方法,其特征在于:

所述设置的测试电流的阈值范围为1mA~1000mA。

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