[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201711169388.8 | 申请日： | 2017-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN109216279A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 廖志腾;翁子展;邱意为;郑志玄 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;张福根 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体条 凹陷 源极/漏极区 半导体装置 掺杂物扩散 蚀刻 栅极堆叠 掺杂物 掺杂 虚设栅极结构 金属 虚设栅极 沟道区 基底 制造 环绕 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置的制造方法，包括：
蚀刻一基底以形成一第一半导体条；
在该第一半导体条的一第一沟道区上方形成一第一虚设栅极结构，该第一虚设栅极结构垂直于该第一半导体条；
在该第一虚设栅极结构的一第一侧上的该第一半导体条中蚀刻出一第一凹陷；
在该第一虚设栅极结构的第二侧上的该第一半导体条中蚀刻出一第二凹陷；
在该第一凹陷和该第二凹陷中形成一第一金属间掺杂膜；
在该第一凹陷附近将该第一金属间掺杂膜的一第一掺杂物扩散进入该第一半导体条，以及在该第二凹陷附近将该第一金属间掺杂膜的该第一掺杂物扩散进入该第一半导体条；
在该第一凹陷中外延成长一源极/漏极区；以及
在该第二凹陷中外延成长一源极/漏极区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
