[发明专利]单级AB类运算跨导放大器及模拟电路

权利要求书

1.一种单级AB类运算跨导放大器，其特征在于，包括：AB类输入级和AB类交叉自偏置输出级；

所述AB类输入级包括翻转电压跟随器和输入差分对；所述AB类交叉自偏置输出级包括第一非线性电流镜、第二非线性电流镜和交叉自偏置电路；

所述翻转电压跟随器的两个输出端分别通过第一电压保持节点、第二电压保持节点与所述输入差分对连接，用于向所述输入差分对提供偏置电流；

所述输入差分对的两个输入端分别连接输入信号Vin+和Vin-，并与所述第一非线性电流镜交叉连接，用于向所述第一非线性电流镜输入电流；

所述第一非线性电流镜的两个输出端分别与所述交叉自偏置电路的两个输入端交叉连接，用于向所述交叉自偏置电路输入放大后的电流；

所述交叉自偏置电路的两个输出端分别连接放大器的两个输出端Vo+和Vo-，用于输出所述放大后的电流；

所述第二非线性电流镜与所述交叉自偏置电路连接，用于回收电流；

所述交叉自偏置电路包括：晶体管M5、M6、M7、M5N、M6N、M7N；

所述晶体管M5的源极连接第三连接点，栅极连接第二偏置电压节点，漏极连接第三偏置电压节点；

所述晶体管M6的源极连接所述交叉自偏置电路的第一输入端，栅极连接所述第三偏置电压节点，漏极连接所述输出端Vo-；

所述晶体管M7的源极连接所述第二非线性电流镜，栅极连接第四连接点，漏极连接所述输出端Vo-；

所述晶体管M5N的源极连接所述交叉自偏置电路的第二输入端，栅极连接第二偏置电压节点，漏极连接所述输出端Vo+；

所述晶体管M6N的源极连接所述交叉自偏置电路的第一输入端，栅极连接所述第三偏置电压节点，漏极连接所述第二偏置电压节点；

所述晶体管M7N的源极连接所述第二非线性电流镜，栅极连接第二连接点，漏极连接所述输出端Vo+。

2.根据权利要求1所述的单级AB类运算跨导放大器，其特征在于，所述翻转电压跟随器包括：晶体管M8、M1c、M9、M8N、M1cN、M9N；

所述晶体管M8的源极连接第一电平信号，漏极连接所述翻转电压跟随器的第一电压保持节点和所述晶体管M1c的源极，栅极连接所述晶体管M1c、M9的漏极；

所述晶体管M1c的源极连接所述晶体管M8的漏极和所述翻转电压跟随器的第一电压保持节点，漏极连接所述晶体管M9的漏极，栅极连接输入信号Vin-；

所述晶体管M9的源极连接第二电平信号，漏极接所述晶体管M1c的漏极和所述晶体管M8的栅极，栅极连接所述晶体管M9N的栅极；

所述晶体管M8N的源极连接第一电平信号，漏极连接所述翻转电压跟随器的第二电压保持节点和所述晶体管M1cN的源极，栅极连接所述晶体管M1cN、M9N的漏极；

所述晶体管M1cN的源极连接所述晶体管M8N的漏极和所述翻转电压跟随器的第二电压保持节点，漏极连接所述晶体管M9N的漏极，栅极连接输入信号Vin+；

所述晶体管M9N的源极连接第二电平信号，漏极接所述晶体管M1cN的漏极和所述晶体管M8N的栅极，栅极连接所述晶体管M9的栅极。

3.根据权利要求2所述的单级AB类运算跨导放大器，其特征在于，所述输入差分对包括：晶体管M1a、M1b、M1aN和M1bN；

所述晶体管M1a的栅极连接输入信号Vin+、晶体管M1b的栅极，漏极连接第一连接点，源极连接所述第一电压保持节点；

所述晶体管M1b的栅极连接输入信号Vin+、晶体管M1a的栅极，漏极连接第二连接点，源极连接所述第一电压保持节点，用于通过所述第二连接点向所述第一非线性电流镜输入电流；

所述晶体管M1aN的栅极连接输入信号Vin-、晶体管M1bN的栅极，漏极连接第三连接点，源极连接所述第二电压保持节点；

所述晶体管M1bN的栅极连接输入信号Vin-、晶体管M1aN的栅极，漏极连接第四连接点，源极连接所述第二电压保持节点，用于通过所述第四连接点向所述第一非线性电流镜输入电流。