[发明专利]一种氮化镓表面的硫醇处理方法在审
| 申请号： | 201711170935.4 | 申请日： | 2017-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN108109903A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 蔡宇韬;孙瑞泽;陆骐峰;赵策洲;梁永齐 | 申请（专利权）人： | 西交利物浦大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化镓表面 硫醇 氮化镓 原子层沉积设备 浸入 半导体制造领域 高温水蒸气处理 氮化镓器件 高温水蒸气 天然氧化层 界面缺陷 室内使用 盐酸溶液 乙醇溶液 栅介质层 保护膜 长碳链 介质层 碳杂质 再氧化 阻挡层 附着 去除 浸泡 清洗 生长 引入 | ||
1.一种氮化镓表面的硫醇处理方法，其特征在于，其包括如下步骤：
(1)将清洗干净的氮化镓样品放入盐酸溶液中浸泡，浸泡一段时间后用去离子水冲洗，氮气吹干；
(2)在氮气气氛中，将吹干后的氮化镓样品浸入溶有硫醇的乙醇溶液中；浸泡一段时间后，将氮化镓样品再放入无水乙醇溶液中超声清洗，然后氮气吹干；
(3)将原子层沉积设备反应室加热，把步骤(2)得到的氮化镓样品置于反应室内，对反应室抽真空，在氮气气氛中，用水蒸气对样品表面处理。
2.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，步骤(1)中，所述的盐酸溶液为常温，浓度范围为0.5％～37.5％。
3.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，步骤(2)中，所述溶有硫醇的乙醇溶液浓度为2mM～20mM；浸入溶有硫醇的乙醇溶液的时间为4小时～48小时。
4.根据权利要求1或3所述的处理方法，其特征在于，所述硫醇分子中的碳原子数为5至20。
5.根据权利要求1或3所述的处理方法，其特征在于，所述硫醇分子中的碳原子数为12至18。
6.根据权利要求1或3所述的处理方法，其特征在于，所述硫醇为正十八硫醇。
7.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，步骤(3)中，所述原子层沉积设备反应室的温度为100℃～400℃，真空范围为50pa～500pa。
8.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，步骤(3)中，所述的用水蒸气对样品表面处理时，水蒸气的脉冲时间范围为10毫秒～100毫秒，水蒸气脉冲后腔体清洗时间范围为10秒～50秒，水蒸气的脉冲与腔体清洗的循环次数的范围为20次～100次。
9.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，步骤(3)中，用水蒸气对样品表面处理时，氮气流量的范围为10sccm～100sccm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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