[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201711171046.X 申请日: 2017-11-22
公开(公告)号: CN108110072B 公开(公告)日: 2021-01-05
发明(设计)人: 河廷珉;赵成衍;朴相昱 申请(专利权)人: LG电子株式会社
主分类号: H01L31/048 分类号: H01L31/048;H01L31/18
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;刘久亮
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 太阳能电池 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种制造太阳能电池的方法,该方法包括以下步骤:

在半导体基板的划线部分上设置掩模,其中,所述半导体基板包括多个单元部分,并且所述划线部分位于所述多个单元部分中的第一单元部分和第二单元部分之间;

在所述半导体基板和所述掩模上形成第一导电区域;

在所述第一导电区域上形成第一电极,所述第一电极与所述第一导电区域电联接;

去除所述掩模,以去除所述第一导电区域的设置在所述掩模上的部分;以及

通过用激光照射所述半导体基板的去除了所述第一导电区域的所述划线部分沿着所述半导体基板的所述划线部分来分割所述半导体基板。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述半导体基板通过去除所述掩模而经由所述半导体基板的所述划线部分暴露。

3.根据权利要求1所述的方法,其中,形成所述第一电极包括以下步骤:

形成第一透明电极层;以及

在所述第一透明电极层上形成第一金属电极层,并且

其中,形成所述第一金属电极层包括以下步骤:

在所述半导体基板的所述单元部分上形成所述第一金属电极层,而没有在所述半导体基板的所述划线部分上形成所述第一金属电极层。

4.根据权利要求1所述的方法,该方法还包括以下步骤:

在设置所述掩模之前,在所述半导体基板上形成第一钝化层,

其中,去除所述掩模包括以下步骤:

去除所述掩模,以使所述第一钝化层的设置在所述半导体基板的所述划线部分上的部分暴露。

5.根据权利要求4所述的方法,其中,分割所述半导体基板包括以下步骤:

用激光穿过所述半导体基板的所述划线部分来照射所述第一钝化层的一部分。

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