[发明专利]一种晶圆级封装线路层互连集成电感及其制造方法

权利要求书

1.一种晶圆级封装线路层互连集成电感结构的制造方法，包括：

在晶圆表面形成晶圆表面绝缘层；

在晶圆表面绝缘层上制作第一金属；

在第一金属及晶圆表面绝缘层的裸露表面上形成第一有机介质层；

在第一有机介质层上形成第二金属；

在第一有机介质层上形成第三金属；

在第二金属、第三金属及第一有机介质层的裸露表面上形成第二有机介质层；

刻蚀第二有机介质层及第一有机介质层，以形成电互连开口，以及

在电互连开口及对应的第二有机介质层上形成导电互连金属，导电互连金属电连接第一金属和第三金属。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，制作第一金属进一步包括：

光刻形成第一金属图形；

形成粘附层及电镀种子层；

电镀铜至高于光刻形成的图形台阶；

化学机械抛光多余铜层，形成第一金属，以及

去除光刻胶。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成第一有机介质层进一步包括：

旋涂液体聚酰亚胺覆盖第一金属及晶圆表面绝缘层的裸露表面；

固化聚酰亚胺；

化学机械抛光平整化已固化的聚酰亚胺。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成的所述第二金属为磁导率大于1的顺磁材料。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成的所述第三金属为磁导率小于1的抗磁材料。