[发明专利]一种铜锌锡硫薄膜的制备方法在审
申请号: | 201711171293.X | 申请日: | 2017-11-22 |
公开(公告)号: | CN107968041A | 公开(公告)日: | 2018-04-27 |
发明(设计)人: | 杨晓艳 | 申请(专利权)人: | 杨晓艳 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L31/032;H01L31/18 |
代理公司: | 北京远智汇知识产权代理有限公司11659 | 代理人: | 徐鹏飞 |
地址: | 214000 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 铜锌锡硫 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种铜锌锡硫薄膜的制备方法,其特征在于,包括:
配制前驱体溶液,将氯化铜,氯化锌、氯化亚锡和硫脲共同溶解在甲醇或者乙醇中,搅拌直至溶液澄清透明;
离心,用于对所述前驱体溶液离心分离,提取上清液,得到离心后的前驱体溶液;
手套箱,用于对所述离心后的前驱体溶液在手套箱中将其旋涂制备铜锌锡硫前驱体薄膜;
干燥箱,用于对所述铜锌锡硫前驱体薄膜干燥;
热处理,用于对所述干燥后的铜锌锡硫前驱体薄膜热处理,制备铜锌锡硫薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种铜锌锡硫薄膜的制备方法,其特征在于,在所述手套箱中旋涂之前,还包括:衬底的清洗;
离子水清洗所述衬底;
稀盐酸清洗所述衬底,再用去离子水振荡10min;
四氯化碳清洗所述衬底后,再用四氯化碳超声振荡10min;
丙酮清洗所述衬底后,再用丙酮超声振荡10min;
无水乙醇清洗所述衬底后,再用无水乙醇超声振荡10min;
所述衬底保存在无水乙醇中待用。
3.根据权利要求1所述的一种铜锌锡硫薄膜的制备方法,其特征在于,所述配置前驱体溶液,所述氯化铜、氯化锌、氯化锡以及硫脲的摩尔比为0.5:1:0.5:4。
4.根据权利要求1所述的一种铜锌锡硫薄膜的制备方法,其特征在于,所述离心的转速为12000转/每分钟,所述离心的时间为5min。
5.根据权利要求1所述的一种铜锌锡硫薄膜的制备方法,其特征在于,所述手套箱旋涂之前,还包括:对所述手套箱抽真空,用于对在手套箱中旋所述离心后的前驱体溶液提供真空环境。
6.根据权利要求1所述的一种铜锌锡硫薄膜的制备方法,其特征在于,旋涂所述离心后的前驱体溶液,所述旋涂的转速为3200转/每分钟,时间为15秒。
7.根据权利要求1所述的一种铜锌锡硫薄膜的制备方法,其特征在于,在手套箱中旋涂所述离心后的前驱体溶液之后,还包括:将所述铜锌锡硫前驱体薄膜在所述干燥箱中的干燥时间为10分钟,干燥温度为150℃。
8.根据权利要求1所述的一种铜锌锡硫薄膜的制备方法,其特征在于,在所述的热处理之前,还包括:对热处理试管炉抽真空后,通入Ar保护气。
9.根据权利要求8所述的一种铜锌锡硫薄膜的制备方法,其特征在于,所述热处理试管炉的温度升高到550℃,所述的铜锌锡硫前驱体薄膜在所述热处理试管炉中快速退火处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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