[发明专利]一种太阳能电池组件在审

专利信息
申请号: 201711171632.4 申请日: 2017-11-22
公开(公告)号: CN107946379A 公开(公告)日: 2018-04-20
发明(设计)人: 孙兴宁 申请(专利权)人: 奕铭(大连)科技发展有限公司
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/068
代理公司: 盘锦大工智讯专利代理事务所(特殊普通合伙)21244 代理人: 徐淑东,崔雪
地址: 116000 辽宁省大*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 太阳能电池 组件
【说明书】:

技术领域

发明涉及太阳能电池领域,尤其涉及一种太阳能电池组件。

背景技术

随着社会的发展,能源问题已经成为全人类面临的严峻挑战。当前,我国能源结构和能源安全越来越成为制约可持续发展的瓶颈,因此,越来越多的国家开始通过开发太阳能资源寻求经济发展的新动力。

太阳能电池组件的应用越来越广泛。从传统的大型太阳电站到小型民用系统,到处可以看到太阳能发电。但是,太阳能电池的发电效率问题,一直是该领域的难题。

发明内容

本发明针对上述问题,提出一种太阳能电池组件,提高了太阳能电池的光电转换效率。

本发明提供了一种太阳能电池组件,包括:包括:n型硅片(1)背光面上制有铝电极(2),n型硅片(1)的受光面上依次有p-n结层(3)、第一钝化层(4)、第二钝化层(5)、第三钝化层(6)和减反膜(7);

所述受光面上制有银电极(8)。

进一步的,所述硅片(1)包括单晶硅片或多晶硅片。

进一步的,所述第一钝化层(4)为氧化硅钝化层。

进一步的,所述氧化硅钝化层的厚度为1-3nm。

进一步的,所述第二钝化层(5)为氧化铝钝化层。

进一步的,所述氧化铝钝化层的厚度为2至15纳米。

进一步的,所述第三钝化层(6)位氮化硅钝化层。

进一步的,所述氮化硅钝化层的厚度为60至90纳米。

进一步的,所述减反膜为氮化硅减反膜。

本发明提供的一种太阳能电池组件,制作过程简单,制作效率高,提高了太阳能电池的光电转换效率。

附图说明

图1是本发明太阳能电池组件的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚,下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部内容。

图1是本发明太阳能电池组件的结构示意图。如图1所示,本发明实施例提供的太阳能电池组件包括:

本发明提供了一种太阳能电池组件,包括:包括:n型硅片(1)背光面上制有铝电极(2),n型硅片(1)的受光面上依次有p-n结层(3)、第一钝化层(4)、第二钝化层(5)、第三钝化层(6)和减反膜(7);

所述受光面上制有银电极(8)。

进一步的,所述硅片(1)包括单晶硅片或多晶硅片。

进一步的,所述第一钝化层(4)为氧化硅钝化层。

进一步的,所述氧化硅钝化层的厚度为1-3nm。

进一步的,所述第二钝化层(5)为氧化铝钝化层。

进一步的,所述氧化铝钝化层的厚度为2至15纳米。

进一步的,所述第三钝化层(6)位氮化硅钝化层。

进一步的,所述氮化硅钝化层的厚度为60至90纳米。

进一步的,所述减反膜为氮化硅减反膜。

本发明提供的一种太阳能电池组件,制作过程简单,制作效率高,提高了太阳能电池的光电转换效率。

最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

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