[发明专利]一种太阳能电池组件在审
申请号: | 201711171632.4 | 申请日: | 2017-11-22 |
公开(公告)号: | CN107946379A | 公开(公告)日: | 2018-04-20 |
发明(设计)人: | 孙兴宁 | 申请(专利权)人: | 奕铭(大连)科技发展有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/068 |
代理公司: | 盘锦大工智讯专利代理事务所(特殊普通合伙)21244 | 代理人: | 徐淑东,崔雪 |
地址: | 116000 辽宁省大*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 组件 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能电池领域,尤其涉及一种太阳能电池组件。
背景技术
随着社会的发展,能源问题已经成为全人类面临的严峻挑战。当前,我国能源结构和能源安全越来越成为制约可持续发展的瓶颈,因此,越来越多的国家开始通过开发太阳能资源寻求经济发展的新动力。
太阳能电池组件的应用越来越广泛。从传统的大型太阳电站到小型民用系统,到处可以看到太阳能发电。但是,太阳能电池的发电效率问题,一直是该领域的难题。
发明内容
本发明针对上述问题,提出一种太阳能电池组件,提高了太阳能电池的光电转换效率。
本发明提供了一种太阳能电池组件,包括:包括:n型硅片(1)背光面上制有铝电极(2),n型硅片(1)的受光面上依次有p-n结层(3)、第一钝化层(4)、第二钝化层(5)、第三钝化层(6)和减反膜(7);
所述受光面上制有银电极(8)。
进一步的,所述硅片(1)包括单晶硅片或多晶硅片。
进一步的,所述第一钝化层(4)为氧化硅钝化层。
进一步的,所述氧化硅钝化层的厚度为1-3nm。
进一步的,所述第二钝化层(5)为氧化铝钝化层。
进一步的,所述氧化铝钝化层的厚度为2至15纳米。
进一步的,所述第三钝化层(6)位氮化硅钝化层。
进一步的,所述氮化硅钝化层的厚度为60至90纳米。
进一步的,所述减反膜为氮化硅减反膜。
本发明提供的一种太阳能电池组件,制作过程简单,制作效率高,提高了太阳能电池的光电转换效率。
附图说明
图1是本发明太阳能电池组件的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚,下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部内容。
图1是本发明太阳能电池组件的结构示意图。如图1所示,本发明实施例提供的太阳能电池组件包括:
本发明提供了一种太阳能电池组件,包括:包括:n型硅片(1)背光面上制有铝电极(2),n型硅片(1)的受光面上依次有p-n结层(3)、第一钝化层(4)、第二钝化层(5)、第三钝化层(6)和减反膜(7);
所述受光面上制有银电极(8)。
进一步的,所述硅片(1)包括单晶硅片或多晶硅片。
进一步的,所述第一钝化层(4)为氧化硅钝化层。
进一步的,所述氧化硅钝化层的厚度为1-3nm。
进一步的,所述第二钝化层(5)为氧化铝钝化层。
进一步的,所述氧化铝钝化层的厚度为2至15纳米。
进一步的,所述第三钝化层(6)位氮化硅钝化层。
进一步的,所述氮化硅钝化层的厚度为60至90纳米。
进一步的,所述减反膜为氮化硅减反膜。
本发明提供的一种太阳能电池组件,制作过程简单,制作效率高,提高了太阳能电池的光电转换效率。
最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的