[发明专利]一种单层多孔气敏膜、其制备方法及用途在审

专利信息
申请号: 201711171904.0 申请日: 2017-11-22
公开(公告)号: CN109813768A 公开(公告)日: 2019-05-28
发明(设计)人: 韩宁;王颖;周新愿;陈运法 申请(专利权)人: 中国科学院过程工程研究所
主分类号: G01N27/12 分类号: G01N27/12
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 巩克栋
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 气敏膜 单层 气敏传感器 有机微球 掩膜板 制备 多孔网状结构 致密 沉积氧化物 批次稳定性 性能一致性 多孔网状 二维薄膜 激光切割 刻蚀工艺 气敏薄膜 悬空结构 灵敏度 传感器 溅射法 孔隙率 基底 溅射 晶圆 裂片 敏膜 平铺 去除 掩膜 整片 薄膜 封装 切割 应用
【说明书】:

本发明涉及一种气敏膜、其制备方法及用途。本发明的气敏膜是一种单层多孔网状气敏膜,本发明所述的方法为掩膜溅射法,具体包括:首先在整片传感器基底上平铺单层有机微球作为掩膜板,然后沉积氧化物气敏薄膜后,最后去除单层有机微球掩膜板,得到单层多孔气敏膜。本发明的方法还可以进一步采用传统背刻蚀工艺得到悬空结构的气敏传感器晶圆,并采用激光切割及裂片封装得到气敏传感器器件。本发明的方法将传统致密的二维薄膜切割成多孔网状结构,其比表面积大,增加了孔隙率、提高了薄膜与气体之间的相互作用面积,进而增加了灵敏度。同时利用溅射法制作的气敏膜性能一致性、批次稳定性较好,具有良好的应用前景。

技术领域

本发明属于气敏传感器领域,涉及一种气敏膜、其制备方法及用途,尤其涉及一种单层多孔网状气敏膜、其掩膜溅射制备方法及在气敏传感器件的用途。

背景技术

氧化物半导体气敏传感器由于体积小、成本低、响应快等优点,在可燃气体泄露、有毒有害气体浓度检测等领域具有广泛的应用。氧化物半导体气敏传感器的传统制作方法为将合成的气敏材料涂敷或印刷到传感器基底上,其中基底包括中间带有加热丝的陶瓷管或者背面印刷有加热板的平面基底。基于传统基底的气敏传感器体积较大,功耗较高。因此最近几年,气敏传感器基底开始转向利用微机电加工(MEMS)技术制作悬空结构的微加热盘,例如专利 CN1684285A,204694669U等。这种MEMS制作出的微加热盘具有功耗低、一致性好等优势,已逐渐成为传感器市场的主流产品。然而,多孔的气敏材料仍需要采用模板法等工艺(例如CN104692332A)单独合成,再将材料制作成浆料,通过涂敷或者打印等方式组装到微加热盘上。虽然也有许多研究尝试使用溅射法等MEMS镀膜方法进行气敏薄膜的制作(例如CN1888123A,Thin Solid Films 516(2008)5111–5117),但是传统溅射法制作的薄膜通常较为致密,与气体相互作用比表面积小,气敏性能较差。也有研究尝试采用后退火等工艺将溅射的薄膜高温烧成多孔膜(Sensors and Actuators B 24-25(1995)433-437),但是比表面积增加有限,并未能极大提高其气敏性能。

因此,如何利用MEMS镀膜工艺(如热蒸镀、溅射镀膜等)沉积高性能氧化物半导体气敏薄膜成为MEMS气敏传感器制作的一个难点。

发明内容

针对现有技术中存在的上述技术问题,本发明的目的在于提供一种单层多孔网状气敏膜、其制备方法及用途。本发明的方法将传统致密的二维薄膜切割成多孔网状结构,增加了孔隙率、提高了薄膜与气体之间的相互作用面积,进而增加了灵敏度,更重要的是,本发明采用掩膜溅射法制作单层多孔气敏膜的方法与微加热盘的MEMS工艺兼容,采用全MEMS工艺制作,提高了气敏传感器产品的一致性。

为达上述目的,本发明采用以下技术方案:

第一方面,本发明提供一种气敏膜,所述气敏膜为多孔网状气敏膜。

优选地,所述气敏膜上的孔的直径为300nm-2000nm,例如300nm、 400nm、500nm、600nm、700nm、850nm、1000nm、1200nm、1300nm、 1500nm、1650nm、1800nm、1900nm或2000nm等。

优选地,所述气敏膜的厚度为50nm-500nm,例如50nm、60nm、70nm、 80nm、90nm、100nm、150nm、200nm、300nm、350nm、400nm或500nm等。

第二方面,本发明提供如第一方面所述的气敏膜的制备方法,所述方法为掩膜溅射法,具体包括:首先在整片传感器基底上平铺单层有机微球作为掩膜板,然后沉积氧化物气敏薄膜,最后去除单层有机微球掩膜板,得到多孔气敏膜。

本发明所述“传感器基底”指:传感器基底晶圆,也可简称为晶圆。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院过程工程研究所,未经中国科学院过程工程研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711171904.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top