[发明专利]一种压电谐振器的制备方法及压电谐振器在审
| 申请号： | 201711172385.X | 申请日： | 2017-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN107947750A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 周燕红 | 申请（专利权）人： | 周燕红 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H3/08;H03H9/17 |
| 代理公司： | 北京远智汇知识产权代理有限公司11659 | 代理人： | 徐鹏飞 |
| 地址： | 214000 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 压电 谐振器 制备 方法 | ||
1.一种压电谐振器的制备方法，其特征在于，包括：
在第一衬底上生长材料层；
在第二衬底的一侧平面上形成一个凹槽；
将所述第一衬底和其上生长的所述材料层与所述第二衬底的一侧表面固定形成空腔；
将所述第一衬底与其上生长的所述材料层剥离。
2.根据权利要求1所述的压电谐振器的制备方法，其特征在于，所述空腔的形成方法为，首先在所述第二衬底上刻蚀出凹槽，再将材料层覆盖于所述凹槽上形成所述空腔。
3.根据权利要求1所述的压电谐振器的制备方法，其特征在于，所述材料层包括第一电极和压电层。
4.根据权利要求3所述的压电谐振器的制备方法，其特征在于，所述压电层通过在所述第一衬底的上表面以溅射或外延方法得到；所述压电层在远离所述第一衬底的一侧溅射第一电极；将所述第一衬底和所述压电层剥离，露出所述压电层；在所述压电层上远离所述第一电极的一侧溅射第二电极。
5.根据权利要求4所述的压电谐振器的制备方法，其特征在于，第二电极为平板电极。
6.一种压电谐振器，其特征在于，包括：
第二衬底；
压电层，所述压电层通过在第一衬底的上表面以溅射或外延方法得到；
第一电极，所述压电层在远离所述第一衬底的一侧溅射第一电极；第二电极，在所述压电层在远离所述第一电极的一侧溅射第二电极；
空腔，位于所述第二衬底和所述第一电极之间的密封腔。
7.根据权利要求6所述的压电谐振器，其特征在于，所述压电层为单晶氮化铝。
8.根据权利要求6所述的压电谐振器，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极为Al、Mo、W、Pt、Cu、Ag或Au中的至少一种。
9.根据权利要求8所述的压电谐振器，其特征在于，第二电极为平板电极
10.根据权利要求6所述的压电谐振器，其特征在于，所述第一衬底和第二衬底的材料为硅。
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