[发明专利]发光二极管

权利要求书

1.一种方法，包括：

在衬底材料上形成具有掺杂芯区域的凹陷鳍结构；

通过包覆所述凹陷鳍结构的第一凹陷鳍结构的所述掺杂芯区域而保护所述凹陷鳍结构的第二凹陷鳍结构和第三凹陷鳍结构的所述掺杂芯区域形成第一颜色发射区域；

通过包覆所述第二凹陷鳍结构的所述掺杂芯区域而保护所述第一凹陷鳍结构和所述第三凹陷鳍结构的所述掺杂芯区域形成第二颜色发射区域；以及

通过包覆所述第三凹陷鳍结构的所述掺杂芯区域而保护所述第一凹陷鳍结构和所述第二凹陷鳍结构的所述掺杂芯区域形成第三颜色发射区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，包覆所述第一凹陷鳍结构、所述第二凹陷鳍结构和所述第三凹陷鳍结构形成量子阱。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一凹陷鳍结构、所述第二凹陷鳍结构和所述第三凹陷鳍结构中的每一个的包覆包括沉积交替的InGaN材料和GaN材料的层而用硬掩模保护未被包覆的所述凹陷鳍结构。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括在包覆层之上形成p型GaN层以及在所述p型GaN层之上形成绝缘层。

5.根据权利要求4所述的方法，还包括形成与所述p型GaN层接触的p型接触。

6.根据权利要求5所述的方法，还包括形成在每个凹陷鳍结构的所述掺杂芯区域和被蚀刻以形成所述凹陷鳍结构的所述衬底材料之间形成的缓冲层。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述缓冲层是AlN。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括在包覆所述第一凹陷鳍结构、所述第二凹陷鳍结构和所述第三凹陷鳍结构之前掺杂所述凹陷鳍结构。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括在包覆所述第一凹陷鳍结构、所述第二凹陷鳍结构和所述第三凹陷鳍结构之后形成绝缘层，所述绝缘层使所述第一颜色发射区域、所述第二颜色发射区域和所述第三颜色发射区域绝缘。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括在所述凹陷鳍结构的每个之间形成隔离区域，所述隔离区域包括与所述绝缘层不同的材料。

11.根据权利要求1所述的方法，还包括在相邻的所述凹陷鳍结构之间形成反射镜。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述反射镜包括也接触到所述衬底材料的金属材料。

13.一种方法，包括：

形成衬底材料的鳍结构；

使所述鳍结构凹陷以形成凹陷鳍结构；

通过在所述凹陷鳍结构上沉积芯材料而在所述凹陷鳍结构上形成掺杂芯区域；

在尚未被包覆的芯区域之上形成硬掩模，而留下至少一个暴露的芯区域以进行包覆；

在所述至少一个暴露的芯区域之上形成交替包覆层；

去除所述硬掩模；

在所述交替包覆层和尚未被包覆的至少一个附加的芯区域之上形成另外的硬掩模，而留下至少另一个暴露的芯区域以进行包覆；以及

在所述至少另一个暴露的芯区域上形成交替包覆层。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述交替包覆层形成量子阱。

15.根据权利要求13所述的方法，还包括：

在所述芯区域之间形成隔离区域；以及

通过暴露所述衬底材料的所述隔离区域蚀刻沟槽。

16.根据权利要求15所述的方法，还包括：

在所述沟槽内和在暴露的所述衬底材料上沉积金属材料；以及

在相邻的包覆芯区域之间从所述金属材料形成反射镜，作为到所述衬底材料的接触。