[发明专利]一种纳米复合ZnO-ZnSb相变存储薄膜材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201711173404.0 | 申请日： | 2017-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN108075039B | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 王国祥;李超;聂秋华;沈祥;吕业刚;张亚文 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 | 代理人： | 何仲 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 复合 zno znsb 相变 存储 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种纳米复合ZnO-ZnSb相变存储薄膜材料，其特征在于：所述的相变存储薄膜材料的化学结构式为(ZnSb)100-x(ZnO)x，其中ZnO的原子数百分含量为5.3％≤x％≤18.2％，ZnSb整体的原子数百分含量为81.8％≤(100-X)％≤94.7％。
2.根据权利要求1所述的一种纳米复合ZnO-ZnSb相变存储薄膜材料，其特征在于：所述的相变存储薄膜材料由ZnO陶瓷靶和ZnSb合金靶在磁控溅射镀膜系统中通过双靶共溅射获得。
3.根据权利要求1所述的一种纳米复合ZnO-ZnSb相变存储薄膜材料，其特征在于：所述的相变存储薄膜材料中相变材料ZnSb呈纳米级颗粒均匀分散在介质材料ZnO中。
4.一种根据权利要求1所述的纳米复合ZnO-ZnSb相变存储薄膜材料的制备方法，其特征在于具体步骤如下：在磁控溅射镀膜系统中，采用石英片或氧化硅片为衬底，将ZnO陶瓷靶材安装在磁控直流溅射靶上，将ZnSb合金靶材安装在磁控射频溅射靶上，将磁控溅射镀膜系统的溅射腔室进行抽真空直至室内真空度达到5.6×10-4Pa，然后向溅射腔室内通入体积流量为50.0ml/min的高纯氩气直至溅射腔室内气压达到溅射所需起辉气压0.30Pa，然后固定ZnSb合金靶的溅射功率为35W，调控ZnO陶瓷靶的溅射功率为3-21W，在室温下双靶共溅射镀膜，溅射厚度达180nm后，即得到沉积态的纳米复合ZnO-ZnSb相变存储薄膜材料，其化学结构式为(ZnSb)100-x(ZnO)x，其中ZnO的原子数百分含量为5.3％≤x％≤18.2％，ZnSb整体的原子数百分含量为81.8％≤(100-X)％≤94.7％。
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