[发明专利]半导体结构、CMOS图像传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体结构的制备方法包括如下步骤：

1)提供半导体衬底，所述半导体衬底的上表面依次形成第一介质层及第二介质层，所述第一介质层为TEOS层，所述第二介质层为USG层；

2)于所述第一介质层及所述第二介质层内形成沟槽，所述沟槽露出部分所述半导体衬底，所述沟槽包括第一沟槽部和位于所述第一沟槽部下方且与所述第一沟槽部相连通的第二沟槽部，所述第二沟槽部的横向尺寸小于所述第一沟槽部的横向尺寸；

3)于所述沟槽的底部、侧壁及所述第二介质层的上表面形成第一金属阻挡层；

4)于所述第一金属阻挡层的表面形成导电金属层，所述导电金属层填满所述沟槽；

5)采用回刻工艺去除部分所述导电金属层以形成导电插塞，所述导电插塞的上表面低于所述沟槽的上表面且所述导电插塞的上表面与所述第二沟槽部的上表面相平齐；

6)于所述第一金属阻挡层的表面及所述导电插塞的上表面形成第二金属阻挡层；

7)于所述第二金属阻挡层的表面形成金属连线层，所述金属连线层填满所述沟槽；

8)去除位于所述第二介质层上表面的所述第一金属阻挡层、所述第二金属阻挡层及所述金属连线层。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，步骤8)中，采用化学机械抛光工艺去除位于所述第二介质层上表面的所述第一金属阻挡层、所述第二金属阻挡层及所述金属连线层。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述导电金属层为钨金属层，所述金属连线层为铜金属层。

4.一种半导体结构，位于一半导体衬底的上表面，其特征在于，所述半导体结构包括：

第一介质层，位于所述半导体衬底的上表面，所述第一介质层为TEOS层；

第二介质层，位于所述第一介质层的上表面，所述第二介质层为USG层；

沟槽，位于所述第一介质层及第二介质层内，且上下贯穿所述第一介质层及所述第二介质层以露出部分所述半导体衬底，所述沟槽包括第一沟槽部及位于所述第一沟槽部下方且与所述第一沟槽部相连通的第二沟槽部，其中，所述第二沟槽部的横向尺寸小于所述第一沟槽部的横向尺寸；

第一金属阻挡层，位于所述沟槽的侧壁上；

导电插塞，位于所述第一金属阻挡层内侧的所述沟槽内，且所述导电插塞的上表面低于所述沟槽的上表面，所述导电插塞的上表面与所述第二沟槽部的上表面相平齐；

第二金属阻挡层，位于所述导电插塞的上表面及所述导电插塞上方的所述第一金属阻挡层表面；

金属连线层，填充于所述第二金属阻挡层内侧的所述沟槽内。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述导电插塞为钨金属塞，所述金属连线层为铜金属层。

6.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述金属连线层的上表面与所述第二介质层的上表面相平齐。