[发明专利]一种竖向叠片结构超长磁屏蔽结构及其制造工艺

权利要求书

1.一种竖向叠片结构超长磁屏蔽结构，其特征在于，该磁屏蔽结构包括若干个沿水平方向叠加在一起的硅钢片(1)，其中，单个硅钢片(1)在竖直方向上放置，若干个硅钢片(1)的背面间隔焊接有若干个扁钢(2)，若干个硅钢片(1)的两端均设置有短护框(3)，两侧均设置有长护框(4)，短护框(3)和长护框(4)包裹在若干个硅钢片(1)的周向上，形成一个长方体结构。

2.根据权利要求1所述的一种竖向叠片结构超长磁屏蔽结构，其特征在于，单个硅钢片(1)的长度为5000mm-9000mm，宽度为10mm-100mm，厚度为0.20mm-0.50mm。

3.根据权利要求1所述的一种竖向叠片结构超长磁屏蔽结构，其特征在于，该磁屏蔽结构中的硅钢片(1)数量为1000-2000，相邻两个硅钢片(1)之间紧贴在一起。

4.根据权利要求1所述的一种竖向叠片结构超长磁屏蔽结构，其特征在于，若干个扁钢(2)沿该磁屏蔽结构的短轴方向布置在磁屏蔽结构的同一面上，且每个扁钢(2)与所有硅钢片(1)的棱边焊接在一起。

5.根据权利要求1所述的一种竖向叠片结构超长磁屏蔽结构，其特征在于，短护框(3)和长护框(4)均与硅钢片(1)焊接在一起。

6.权利要求1所述的一种竖向叠片结构超长磁屏蔽结构的制造工艺，其特征在于，包括如下步骤：

1)将长护框(4)安装在叠片工装上，然后叠加硅钢片(1)；

2)硅钢片(1)叠加至设计要求后，进行压紧；

3)将扁钢(2)按照装配位置点焊，且焊接在该磁屏蔽结构的同一面上，同时将短护框(3)和长护框(4)分别焊接在该磁屏蔽结构的周向上。

7.根据权利要求6所述的一种竖向叠片结构超长磁屏蔽结构的制造工艺，其特征在于，步骤1)中，硅钢片(1)每叠10mm-100mm厚度后，采用绑扎带进行绑扎固定。

8.根据权利要求6所述的一种竖向叠片结构超长磁屏蔽结构的制造工艺，其特征在于，步骤2)中，硅钢片(1)的叠片系数为0.95-0.99，硅钢片(1)叠加至设计要求后，从中间向两端对称紧固。

9.根据权利要求6所述的一种竖向叠片结构超长磁屏蔽结构的制造工艺，其特征在于，步骤3)中，扁钢(2)与硅钢片(1)的焊接采用手工电弧焊，焊材选用的不锈钢焊条A302，焊接电流为：170A-220A。

10.根据权利要求6所述的一种竖向叠片结构超长磁屏蔽结构的制造工艺，其特征在于，采用反变形法控制该磁屏蔽结构的焊接变形量，且磁屏蔽结构叠片时的预先人为反变形量h＝4mm-10mm。