[发明专利]一种高可靠性三态输出电路有效
申请号: | 201711176777.3 | 申请日: | 2017-11-22 |
公开(公告)号: | CN107835011B | 公开(公告)日: | 2021-09-03 |
发明(设计)人: | 浦珺慧;胡晓明;刘雯 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185;H03K19/003 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 可靠性 三态 输出 电路 | ||
1.一种高可靠性三态输出电路,包括:
信号控制模块,包括一反相器、第一至第三NMOS管、第一至第三PMOS管,用于在控制信号Enable的控制下决定输出驱动模块的输出为三态还是跟随输入信号Input的变化;
输出驱动模块,包括输出驱动PMOS管和输出驱动NMOS管,所述输出驱动PMOS管和输出驱动NMOS管的栅极分别连接所述信号控制模块的两个输出端,所述输出驱动PMOS管的漏极与输出驱动NMOS管的漏极相连组成输出节点连接至输出焊盘,所述输出驱动PMOS管的源极接电源,所述输出驱动NMOS管的源极接地,用于在该控制信号Enable为低时输出高阻态而在控制信号Enable为高时提供跟随输入信号Input的变化且能推动外部大电流负载的输出;
该控制信号Enable连接至该反相器的输入端和该第一PMOS管的栅极、该第三NMOS管的栅极,该反相器的输出连接至该第一NMOS管的栅极和该第三PMOS管的栅极,输入信号Input连接至该第二PMOS管和该第二NMOS管的栅极,该第一PMOS管的漏极与该第三NMOS管的漏极、第二PMOS管的漏极以及该第三PMOS管的源极相连组成输出PMOS管控制信号节点OP,该第三PMOS管的漏极与该第二NMOS管的漏极、该第一NMOS管的漏极以及该第三NMOS管的源极相连组成输出NMOS管控制信号节点ON,所述输出PMOS管控制信号节点OP和所述输出NMOS管控制信号节点ON为所述信号控制模块的两个输出端,所述输出PMOS管控制信号节点OP与所述输出NMOS管控制信号节点ON连接所述输出驱动模块,该第一PMOS管的源极和该第二PMOS管的源极均接电源,该第一NMOS管的源极和该第二NMOS管的源极均接地。
2.如权利要求1所述的一种高可靠性三态输出电路,其特征在于:所述信号控制模块输入端连接该输入信号Input和该控制信号Enable,其输出端OP连接所述输出驱动PMOS管,用于控制所述输出驱动PMOS管开关;输出端ON连接所述输出驱动NMOS管栅极,用于控制所述输出驱动NMOS管开关。
3.如权利要求1所述的一种高可靠性三态输出电路,其特征在于:所述输出驱动PMOS管的尺寸和输出驱动NMOS管的尺寸大于所述输出驱动模块内部电路的PMOS管和NMOS管,所述输出驱动PMOS管的尺寸和输出驱动NMOS管尺寸取决于ESD能力,芯片输出频率以及测试环境负载的要求。
4.如权利要求1所述的一种高可靠性三态输出电路,其特征在于:所述第二PMOS管和第二NMOS管用于控制所述输出驱动PMOS管和输出驱动NMOS管的栅极电压,沟道宽度为分别对应的输出驱动PMOS管/NMOS管的六分之一到三分之一。
5.如权利要求1所述的一种高可靠性三态输出电路,其特征在于:所述第三PMOS管用于控制输出电路是否输出高阻态,以及产生正确的输出PMOS管控制信号节点OP包络输出NMOS管控制信号节点ON的包络信号,其沟道宽度为第二PMOS管的四分之一到二分之一。
6.如权利要求1所述的一种高可靠性三态输出电路,其特征在于:所述第三NMOS管用于当输出电路输出高阻态时,隔断相反的控制信号OP与ON,其尺寸与第二PMOS一致。
7.如权利要求1所述的一种高可靠性三态输出电路,其特征在于:所述第一PMOS管和第一NMOS管用于当输出电路输出高阻态时,分别控制所述输出驱动管PMOS管/NMOS管关闭,其沟道宽度对应第二PMOS管/第二NMOS管的四分之一。
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