[发明专利]一种监测离子注入设备性能的方法

权利要求书

1.一种监测离子注入设备性能的方法，其特征在于，提供一待测晶圆，所述待测晶圆放置离子注入设备的反应腔体中；

包括以下步骤：

步骤S1、提供一离子束，所述离子束中包括第一离子以及第二离子；

步骤S2、控制所述离子束的偏转半径使所述第一离子与所述第二离子分离，以将所述第一离子注入所述晶圆中；

步骤S3、检测所述晶圆中的所述第二离子的含量是否超过一标准值，并在检测出的所述第二离子的含量大于所述标准值时判断所述离子设备出现性能故障。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述离子注入设备包括一离子源，所述离子源中包括源腔体，生成所述第一离子和所述第二离子的方法包括：

向所述源腔体中通入第一反应气体以及第二反应气体，所述第一气体和所述第二气体在所述源腔体内经过分解反应形成所述第一离子以及所述第二离子。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一反应气体为BF3，与所述第一反应气体对应的所述第一离子为BF²⁺；

所述第二反应气体为WF6，与所述第二反应气体对应的所述第二离子为WF²⁺。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，提供一电感耦合等离子质谱仪，通过所述电感耦合等离子质谱仪对所述晶圆中的所述第二离子的含量进行检测并判断所述第二离子的含量是否超过所述标准值；

若是，则表示所述离子注入设备的性能出现故障；

若否，则表示所述离子注入设备的工作正常。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述离子注入设备包括一质量分析仪，所述质量分析仪与所述离子源的输出口连接；

所述质量分析仪提供一磁场分析器，通过所述磁场分析器控制所述第一离子的偏转半径，使所述第二离子与所述第一离子分离，所述第一离子注入到所述晶圆中，所述第二离子偏转至所述质量分析仪的侧壁上。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，还包括一加速器，所述加速器与所述质量分析仪连接，通过所述加速器将偏转通过的所述第一离子进行电场加速，以注入所述晶圆中。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，还包括一电子透镜，所述电子透镜与加速器连接，通过所述电子透镜将所述第一离子进行聚焦，以均匀注入到所述晶圆上。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶圆包括一预定厚度的氧化膜。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一离子的注入能量为0～50KeV。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一离子的注入剂量为1e15～5e15ions/cm2。