[发明专利]一种激光薄膜及其制备方法和应用有效
申请号: | 201711177793.4 | 申请日: | 2017-11-21 |
公开(公告)号: | CN107966750B | 公开(公告)日: | 2020-01-10 |
发明(设计)人: | 卫耀伟;许乔;张清华;王建;王震;吴倩;张飞;潘峰 | 申请(专利权)人: | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 |
主分类号: | G02B1/10 | 分类号: | G02B1/10;C23C16/40;C23C16/455 |
代理公司: | 11371 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 李进 |
地址: | 610000 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 激光 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
本发明提供一种激光薄膜及其制备方法和应用,涉及光学薄膜技术领域。一种激光薄膜的制备方法,包括:以HfCl4和SiCl4作为前驱体,在90~110℃的条件下采用原子层沉积法在衬底上交替沉积制备HfO2激光薄膜和SiO2激光薄膜。制备方法简单,可控性强,制得的产品质量高。一种激光薄膜,由上述激光薄膜的制备方法制备而成。具有厚度小,高激光损伤阈值的特点。
技术领域
本发明涉及光学薄膜技术领域,且特别涉及一种激光薄膜及其制备方法和应用。
背景技术
激光薄膜,通常由高低折射率材料交替形成的周期性结构,如输出镜和偏振片等。用来调节激光束的性能和方向,对整个激光装置起着至关重要的作用。但在强激光作用下,这些激光薄膜是激光系统中最容易被激光破坏的薄弱环节。
原子层沉积是一种新兴的镀膜手段,与传统镀膜手段相比,原子层沉积能够实现薄膜沉积参数(厚度、成份及结构)的高度可控,更重要的是能够实现均匀、无针薄膜的沉积,易于获得高质量的薄膜,从而成为最具潜力的激光薄膜镀膜技术之一,受到国际同行的高度关注和重视。
发明内容
本发明的目的在于提供一种激光薄膜的制备方法,制备方法简单,可控性强,制得的产品质量高。
本发明的另一目的在于提供一种激光薄膜,具有厚度小,高激光损伤阈值的特点。
本发明解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。
本发明提出一种激光薄膜的制备方法,包括:以HfCl4和SiCl4作为前驱体,在90~110℃的条件下采用原子层沉积法在衬底上交替沉积制备HfO2激光薄膜和SiO2激光薄膜。
本发明提出一种激光薄膜,由上述激光薄膜的制备方法制备而成。
本发明提出一种激光薄膜在电子显示屏领域中的应用。
本发明实施例的一种激光薄膜及其制备方法和应用的有益效果是:
以HfCl4、SiCl4为反应源,采用原子层沉积方法制备多层薄膜。原子层沉积能够实现薄膜沉积参数的高度可控,能够实现均匀、无针薄膜的沉积,易于获得高质量的薄膜。HfO2激光薄膜具有电子禁带宽、机械性能好及热稳定性好等诸多优点。SiO2激光薄膜作为低折射率材料具有压应力,交替沉淀得到的激光薄膜具有较高的损伤阈值。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者,按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者,均为可以通过市售购买获得的常规产品。
下面对本发明实施例的一种激光薄膜及其制备方法和应用进行具体说明。
本发明实施例提供的一种激光薄膜的制备方法,包括:
本发明采用HfCl4和SiCl4作为前驱体,采用原子层沉积法交替沉积制备激光薄膜。
激光惯性约束聚变中,需要许多由光学薄膜元件构成的光学系统,用来调节激光束的性能和方向,对整个固体激光驱动器起着至关重要的作用。但在强激光作用下,光学薄膜元件的薄膜是系统中最容易被激光破坏的薄弱环节。HfO2激光薄膜具有电子禁带宽、机械性能好及热稳定性好等诸多优点。SiO2激光薄膜作为低折射率材料具有压应力,交替沉淀得到的激光薄膜具有较高的损伤阈值。
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