[发明专利]一种具有高反射率宽谱氧化物反射镜的倒装蓝光LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种具有高反射率的宽谱反射镜的倒装蓝光芯片，其特征在于：所述芯片包括在衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层、MQW有源层以及P型半导体层，形成外延层；

所述芯片去除部分MQW有源层、P型半导体层，露出部分N型半导体层；

所述P型半导体层包括透明电流层与宽谱DBR层，其中，所述透明电流层覆盖所述P型半导体层，所述宽谱DBR层覆盖所述透明电流层、所述P型半导体层、所述MQW有源层以及所述N型半导体层。

2.根据权利要求1所述的一种具有高反射率的宽谱反射镜的倒装蓝光芯片，其特征在于：所述宽谱DBR层包括第一通孔与第二通孔，露出部分透明电流层和N型半导体层；所述第一通孔包括与透明电流层接触的P型连接电极，所述第二通孔包括与N型半导体层接触的N型连接电极。

3.根据权利要求2所述的一种具有高反射率的宽谱反射镜的倒装蓝光芯片，其特征在于：所述P型连接电极和N型连接电极为互联电极；所述互联电极和DBR层形成绝缘隔离层。

4.根据权利要求3所述的一种具有高反射率的宽谱反射镜的倒装蓝光芯片，其特征在于：所述绝缘隔离层包括第三通孔与第四通孔，露出部分所述互联电极；所述第三通孔包括P型对称电极，所述第四通孔包括N型对称电极。

5.根据权利要求4所述的一种具有高反射率的宽谱反射镜的倒装蓝光芯片，其特征在于：所述衬底是抛光或粗化蓝宝石；所述N型半导体层为掺硅的AlGaN或GaN；所述MQW有源层是AlGaN或GaN；所述P型半导体层为掺镁的AlGaN或GaN；所述透明电流层是ITO或AZO；所述DBR层为由SiO₂、TiO₂、Ta₂O₅、AlN、SiN_x其中的两种或多种组成；所述绝缘隔离层是SiO₂、AlN或SiN_x；所述金属电极由Cr、Al、Ni或Au组成。

6.一种具有高反射率的宽谱反射镜的倒装蓝光芯片的制备方法，其特征在于：

步骤一：在衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层、MQW有源层、P型半导体层，以形成外延层；

步骤二：去除部分MQW有源层与P型半导体层，露出部分N型半导体层；

步骤三：在所述P型半导体层的表面依次形成透明电流层和宽谱DBR层，其中所述透明电流层覆盖所述P型半导体层，所述宽谱DBR层覆盖所述透明电流层、所述P型半导体层、所述MQW有源层、所述N型半导体层；

步骤四：所述透明电流层可为氧化铟锡(ITO)薄膜，其厚度是50-200nm。

步骤五：所述宽谱DBR层，由折射率相差较大的氧化物如TiO2和SiO2，以相互间隔ABAB的形式周期性组成。

步骤六：在所述宽谱DBR层形成第一和第二通孔，以露出部分透明电流层和N型半导体层；

步骤七：在所述第一通孔和第二通孔上分别形成与透明电流层接触的P型连接电极，以及与N型半导体层接触的N型连接电极；

步骤八：在所述P型连接电极和N型连接电极制作互联电极；

步骤九：在所述互联电极和DBR层上形成绝缘隔离层；

步骤十：在所述绝缘隔离层上形成第三通孔和第四通孔，以露出部分互联电极；

步骤十一：在所述第三通孔和第四通孔上形成P型对称电极和N型对称电极。

7.根据权利要求6所述的一种具有高反射率的宽谱反射镜的倒装蓝光芯片的制备方法，其特征在于：在所述的透明电流层上，用蒸镀方法制备所述DBR层。

8.根据权利要求6所述的一种具有高反射率的宽谱反射镜的倒装蓝光芯片的制备方法，其特征在于：在所述的DBR层上，用干法或湿法刻蚀出到达透明电流层的第一通孔和到达N型半导体层的第二通孔。

9.根据权利要求6所述的一种具有高反射率的宽谱反射镜的倒装蓝光芯片的制备方法，其特征在于：在所述的第一通孔和第二通孔上利用电子束蒸镀或化学电镀制备所述的P型连接电极和N型连接电极；在所述的P型连接电极和N型连接电极上用电子束蒸镀或化学电镀制备所述的P型互联电极和N型互联电极。

10.根据权利要求6所述的一种具有高反射率的宽谱反射镜的倒装蓝光芯片的制备方法，其特征在于：在所述的P型互联电极和N型互联电极上用等离子体增强化学气相沉积法制备所述绝缘隔离层；在所述的绝缘隔离层上以干法或湿法刻蚀出第三通孔和第四通孔；在所述第三通孔和第四通孔上，用电子束蒸镀或电镀法分别制备P型对称电极和N型对称电极。