[发明专利]去除光刻胶显影后残留缺陷的方法

权利要求书

1.一种去除光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于，包括如下：

步骤一、在晶圆上形成光刻胶，对所述光刻胶进行曝光和显影形成光刻胶图形，通过所述曝光对所述光刻胶图形的尺寸进行预先定义，在被显影的区域存在光刻胶残留；

步骤二、进行光刻胶预处理工艺，通过所述光刻胶预处理工艺完全去除被显影的区域存在的光刻胶残留，同时所述光刻胶预处理工艺使所述光刻胶图形的尺寸缩小，通过步骤一中预先定义的所述光刻胶图形的尺寸减去步骤二中使所述光刻胶图形的尺寸缩小的量得到所述光刻胶图形的最终尺寸并使所述光刻胶图形的最终尺寸达到目标尺寸；

所述光刻胶预处理工艺的温度越低，去胶速率越慢，越有利于对所述光刻胶预处理工艺使所述光刻胶图形的尺寸的缩小量进行控制，在满足将被显影的区域存在的光刻胶残留去除的前提下将所述光刻胶图形的尺寸的缩小量调节到使所述光刻胶图形的最终尺寸达到目标尺寸。

2.如权利要求1所述的去除光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于：所述晶圆为半导体衬底形成的晶圆。

3.如权利要求2所述的去除光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于：在所述晶圆表面形成有介质层，所述光刻胶图形用于定义所述介质层的图形结构。

4.如权利要求3所述的去除光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于：在步骤二完成之后以所述光刻胶图形为掩模对所述介质层进行刻蚀，通过步骤二中去除被显影的区域存在的光刻胶残留消除在所述介质层的被刻蚀区域形成残留缺陷。

5.如权利要求4所述的去除光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于：在所述介质层刻蚀完成之后，通过去胶工艺去除所述光刻胶图形。

6.如权利要求5所述的去除光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于：步骤二中的所述光刻胶预处理工艺的温度低于所述去胶工艺的温度。

7.如权利要求6所述的去除光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于：步骤二中的所述光刻胶预处理工艺在所述去胶工艺的设备中进行。

8.如权利要求7所述的去除光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于：所述去胶工艺的设备中包括机台加热部件，在所述去胶工艺中所述晶圆直接放置在所述机台加热部件上。

9.如权利要求8所述的去除光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于：步骤二中的所述光刻胶预处理工艺中，通过顶针将所述晶圆顶起使所述晶圆的底面和所述机台加热部件相隔距离，通过调节所述晶圆的底面和所述机台加热部件的距离调节所述光刻胶预处理工艺的温度。

10.如权利要求8所述的去除光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于：步骤二中的所述光刻胶预处理工艺中，所述晶圆直接放置在所述机台加热部件上，通过调节所述机台加热部件的加热参数调节所述光刻胶预处理工艺的温度。

11.如权利要求1所述的去除光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于：

步骤一中对所述光刻胶图形进行预先定义的尺寸要求保证在后续步骤二中将被显影的区域存在的光刻胶残留去除时所述光刻胶图形的剩余尺寸大于等于目标尺寸，当所述光刻胶图形的剩余尺寸大于目标尺寸时增加所述光刻胶预处理工艺的时间使所述光刻胶图形的最终尺寸等于目标尺寸。

12.如权利要求1所述的去除光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于：预先制作所述光刻胶预处理工艺在对应的温度下的去胶速率曲线，步骤二中根据预先得到的去胶速率曲线进行对所述光刻胶图形的尺寸的减少量的控制。

13.如权利要求2所述的去除光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于：所述半导体衬底为硅衬底。

14.如权利要求3所述的去除光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于：所述介质层包括：氧化层或氮化层。