[发明专利]一种促进微弧氧化膜层中羟基磷灰石结晶的方法有效

专利信息
申请号: 201711178564.4 申请日: 2017-11-23
公开(公告)号: CN108103551B 公开(公告)日: 2019-07-16
发明(设计)人: 严继康;刘明;甘有为;姜贵民;唐婉霞;倪尔鑫;甘国友;谈松林;张家敏;杜景红;易建宏 申请(专利权)人: 昆明理工大学
主分类号: C25D11/26 分类号: C25D11/26
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 650093 云*** 国省代码: 云南;53
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摘要:
搜索关键词: 羟基磷灰石 试样表面 微弧氧化 羟基磷灰石结晶 微弧氧化膜层 生物性能 籽晶 沉积 非晶态二氧化钛 羟基磷灰石凝胶 晶态二氧化钛 晶型二氧化钛 人体植入材料 溶胶凝胶法制 植入材料表面 化学稳定性 耐腐蚀性能 生物陶瓷膜 生物相容性 钛合金基体 表面形成 多孔膜层 骨骼植入 结构致密 力学性能 烧结过程 生物医用 陶瓷膜层 冶金结合 原位制备 烧结 钛合金 膜层 旋涂 制备 诱导 修复 外部
【权利要求书】:

1.一种促进微弧氧化膜层中羟基磷灰石结晶的方法,其特征在于,具体包括以下步骤:

(1)将钛合金打磨、抛光、除油、碱洗,自然烘干后备用;

(2)将步骤(1)处理好的样品作为阳极悬挂在电解液中,不锈钢电解槽为阴极,进行微弧氧化,清洗烘干后备用;

(3)分别配制浓度为2~3mol/L的磷酸三乙酯的乙醇溶液和浓度为2~3.5mol/L的硝酸钙的乙醇溶液,搅拌条件下将硝酸钙溶液滴加至磷酸三乙酯溶液中,其中,Ca/P摩尔比为1~2;用氨水的缓冲溶液调节pH值至7~9,充分搅拌,回流,室温下静置一段时间;在涂覆样品前,将上述溶液在60~90℃下反应1~3h,形成胶状液体;用旋涂机对微弧氧化钛合金样品进行涂覆,涂覆后的钛合金在70~90℃干燥10~20min后,再在550~650℃下热处理20~60min,得到籽晶涂层;

(4)将步骤(3)中涂有籽晶涂层的钛合金样品再次悬挂于步骤(2)中的电解液中作为阳极,不锈钢作为阴极再次进行微弧氧化;

(5)将步骤(4)微弧氧化处理后的钛合金用水清洗后烘干,在钛合金表面获得富含羟基磷灰石的多孔生物陶瓷膜;

步骤(2)中电解液的成分为含钙电解质、含磷电解质、络合剂和水,其中含钙电解质为乙酸钙、碳酸钙、磷酸二氢钙、甘油磷酸钙中的一种或几种物质按任意比例混合,浓度为0.10mol/L~0.20mol/L;含磷电解质为磷酸二氢钾,浓度为0.10mol/L~0.20mol/L;络合剂为柠檬酸,浓度为0.02mol/L~0.06mol/L。

2.根据权利要求1所述的促进微弧氧化膜层中羟基磷灰石结晶的方法,其特征在于:步骤(1)除油采用的除油剂为丙酮或无水乙醇,碱洗采用的碱洗液为1~5g/L的氢氧化钠溶液。

3.根据权利要求1所述的促进微弧氧化膜层中羟基磷灰石结晶的方法,其特征在于:步骤(3)中硝酸钙溶液的滴加速度为0.05~0.1mL/s。

4.根据权利要求1所述的促进微弧氧化膜层中羟基磷灰石结晶的方法,其特征在于:步骤(3)中用氨水的缓冲溶液调节pH值后,搅拌时间为3~6h,在60~90℃回流10~20h,室温下静置40~60h。

5.根据权利要求1所述的促进微弧氧化膜层中羟基磷灰石结晶的方法,其特征在于:步骤(2)及步骤(4)中所述微弧氧化的电源为脉冲电源,电源参数为:正向电压450~600V,正向占空比为10~60%,频率为600~1200Hz,正负脉冲数为1~6,氧化时间为15~30min。

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