[发明专利]一种数模转换电路及其方法、显示装置

权利要求书

1.一种数模转换电路，其特征在于，包括：分压子电路、第一电压选择子电路、第二电压选择子电路和缓冲子电路；

所述分压子电路包括：2^m个分压信号端，按电压由低到高依次定位为第0至第2^m-1分压信号端；第i分压信号端与第i+1分压信号端之间包括：2^n-m-1个子分压信号端，按电压由低到高依次定位为第1至第2^n-m-1子分压信号端；

所述第一电压选择子电路，与分压子电路的第i分压信号端、第i+1分压信号端和2^n-m-1个子分压信号端连接，被配置为接收数字信号的第1位至第n-m位，并将所述数字信号的第1位至第n-m位转换为第一模拟信号；

所述第二电压选择子电路，与分压子电路的2^m个分压信号端连接，被配置为接收数字信号的第n-m+1位至第n位，并将所述数字信号的第n-m+1位至第n位转换为第二模拟信号；

所述缓冲子电路，分别与第一电压选择子电路、第二电压选择子电路和分压子电路的第i分压信号端连接，被配置为计算第一模拟信号加上第二模拟信号减去第i分压信号端的信号，生成所述数字信号对应的模拟信号，并向数模转换电路的模拟信号输出端输出模拟信号；

其中，m的取值大于等于0，且小于等于n；i大于等于1，且小于等于2^m；n的取值由所述数模转换电路的性能要求确定。

2.根据权利要求1所述的数模转换电路，其特征在于，所述分压子电路还包括：具有串联连接的2^m-1个电阻的电阻串、高参考电压端和低参考电压端；

所述电阻串包括2^m个串联节点，按照电压由低到高依次定位为第0至第2^m-1个串联节点；所述第0串联节点与所述低参考电压端相连，所述第2^m-1个串联节点与所述高参考电压端相连；所述第0至第2^m-1串联节点与所述第0至第2^m-1分压信号端对应相连；

位于第i串联节点与第i+1串联节点之间的电阻包括：2^n-m个子电阻串联连接的子电阻串；

所述子电阻串包括2^n-m-1个串联子节点，按照电压从低到高依次定位为第1至第2^n-m-1个串联子节点，所述第1至第2^n-m-1个串联子节点与所述第1至第2^n-m-1子分压信号端对应相连。

3.根据权利要求1所述的数模转换电路，其特征在于，第一电压选择子电路为n-m位二进制开关树形的第一开关网络；

所述第一开关网络的各输入端连接于第i分压信号端、第i+1分压信号端和第1至第2^n-m-1子分压信号端，输出端连接于缓冲子电路的正向输入端。

4.根据权利要求1所述的数模转换电路，其特征在于，第二电压选择子电路为m位二进制开关树形的第二开关网络；

所述第二开关网络的各输入端连接于第0至第2^m-1分压信号端，输出端连接与缓冲子电路的正向输入端。

5.根据权利要求1所述的数模转换电路，其特征在于，所述第i分压信号端与所述缓冲子电路的负向信号端连接。

6.根据权利要求3所述的数模转换电路，其特征在于，所述第一开关网络包括：P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管和N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。

7.根据权利要求4所述的数模转换电路，其特征在于，所述第二开关网络中的开关包括：P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管和N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。