[发明专利]耐久阻隔膜及其制备方法有效
申请号: | 201711179566.5 | 申请日: | 2017-11-23 |
公开(公告)号: | CN109830542B | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 李硕;吴常良 | 申请(专利权)人: | 张家港康得新光电材料有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L33/44 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 范晴;顾天乐 |
地址: | 215634 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 耐久 阻隔 及其 制备 方法 | ||
1.一种耐久阻隔膜,其特征在于,包括衬底基材以及设置在衬底基材上的耐腐蚀阻隔层,所述的耐腐蚀阻隔层上依次层叠有牺牲层和顶涂层,且牺牲层与顶涂层之间通过化学腐蚀作用附着结合;
所述耐腐蚀阻隔层包括阻隔材料层和设置在阻隔材料层上的阻蚀功能层,其中,阻隔材料层设于衬底基材上;
当阻隔材料层的材质为耐腐蚀性材料时,阻蚀功能层的材质为与阻隔材料层的材质不同的耐腐蚀性材料;
当阻隔材料层的材质为非耐腐蚀性材料时,阻蚀功能层的材质为耐腐蚀性材料;
所述牺牲层为铝、锌或镁中一种或一种以上金属的氧化物、氮氧化物、碳氧化物、碳氮化物、碳氮氧化物。
2.根据权利要求1所述的耐久阻隔膜,其特征是,所述衬底基材的厚度为10~250μm。
3.根据权利要求1所述的耐久阻隔膜,其特征是,所述衬底基材的材质包括聚酯膜、尼龙膜、聚丙烯薄膜、透明氟树脂、聚酰胺、氟化聚酰胺、聚酰亚胺、聚酰亚胺酰胺、聚乙醚酰胺、环氧树脂、聚碳酸酯、聚氨酯树脂、聚乙醚乙基酮酯、脂环式聚砜、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚乙醚、芴环变性聚碳酸酯、脂环变性聚聚碳酸酯、芴环变性聚酯、环烯烃共聚物。
4.根据权利要求1所述的耐久阻隔膜,其特征是,阻隔材料层的厚度为10~300nm,阻蚀功能层的厚度为1~10nm。
5.根据权利要求1所述的耐久阻隔膜,其特征是,所述阻隔材料层的材质为二氧化硅。
6.根据权利要求1所述的耐久阻隔膜,其特征是,所述阻隔材料层的材质为氧化铝,阻蚀功能层的材质为二氧化钛。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的耐久阻隔膜,其特征是,所述顶涂层为有机树脂,所述顶涂层包括聚氨酯丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯、多元醇丙烯酸酯、环氧树脂中的一种或多种,所述顶涂层的厚度为1~10μm。
8.根据权利要求7所述的耐久阻隔膜,其特征是,所述顶涂层还包括改善与无机层的附着力的助剂或提高涂层的表观及性能的助剂。
9.根据权利要求8所述的耐久阻隔膜,其特征是,所述改善与无机层的附着力的助剂为硅烷偶联剂。
10.根据权利要求8所述的耐久阻隔膜,其特征是,所述提高涂层的表观及性能的助剂包括光引发剂、成膜助剂或消泡剂中的任一种或多种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的