[发明专利]一种硅片晶圆划片工艺

权利要求书

1.一种硅片晶圆划片工艺，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、准备工作：根据产品名称及划片槽的大小确认划片刀型号，操作员在切割前应该检查载物台，若载物台上有杂质，操作员应该用气枪吹去这些杂质，点击“刀片状况资料”， 读取刀刃露出量，若划片刀露出量没有达到规定的使用下限但刀痕不符合规范时也需要更换划片刀；

步骤2、平面环划片：设备启动，调出设备中该品种数据，进行核对，如果正确，即可开始划片，将平面环按照卡子端放入划片机工作台，全自动划片，划片可全自动进行；

步骤3、圆片清洗：将平面环的四个平口端分别放置在清洗机卡扣处。关闭设备防护门后按下绿色START按钮开始清洗作业；

步骤4、圆片烘烤：对于圆片，在上机划片前必须放在烘箱中，升温5分钟。

2.根据权利1所述的一种硅片晶圆划片工艺，其特征在于，在步骤1中，若当此数据小于刀刃最小露出量时，需更换划片刀，刀刃最小露出量=圆片厚度+切入膜量+50um。

3.根据权利1所述的一种硅片晶圆划片工艺，其特征在于，在所述步骤2中，当第一片划完后，操作者应立即取出，在显微镜下检查或目视检查，划片槽是否偏斜，是否全划穿，蓝膜上是否有刀痕，有无芯片脱落，有效电路区中是否有缺角, 裂缝，钝化层受损，擦伤和沾污等的芯片，如果第一片有问题，应立即采取措施，然后再检查紧跟切割的一片,直到正常。

4.根据权利1所述的一种硅片晶圆划片工艺，其特征在于，在所述步骤4中，烘烤温度：60℃±15℃，恒温10分钟，增加蓝膜的粘性，减少圆片在划片过程中的飞晶现象。