[发明专利]一种半导体划片工艺在审
申请号: | 201711180036.2 | 申请日: | 2017-11-23 |
公开(公告)号: | CN107863322A | 公开(公告)日: | 2018-03-30 |
发明(设计)人: | 徐志华;张彦;陈玲 | 申请(专利权)人: | 江阴苏阳电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/822 | 分类号: | H01L21/822 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 214400 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 划片 工艺 | ||
1.一种半导体划片工艺,其特征在于:包括以下步骤,
A.划片前准备工作;
B.开机操作:打开主轴冷却水和切割水开关,确保压力≧0.3MPa,打开机器背后的主电源开关,确认电源指示等点亮并检查机器前后EMO开关是否被打开;
C.机器预热操作:机器启动后会提示“系统初始化”,按操作面板上“System initial”键,对机器系统进行初始化,机器的各个轴将分别移动到它们的初始位置,按操作面板上划片程序按钮 ,然后按“ENTER”键确认,再按“EXIT”键返回主菜单,按操作面板上“SPINDLE”键,主轴被开启并将逐步升到所选的“DEVICE NO.”中设定的主轴转速,按操作面板上“CUT WATER”键,打开切割水,通过调节流量计,达到工艺要求设定的水流量1.2-2.0L/min,通过防水盖观察喷水是否正常,保持此状态2分钟,机器的预热完毕;
D.硅片切割操作:切割前应首先确认操作面板上“SET UP”和“SYS INIT”键上方的指示灯是否点亮,如果“SYS INIT”键上方的指示灯没有点亮,首先执行系统初始化,如系统初始化相应的指示灯没有点亮,首先执行“SETUP”操作,上述工作完成后,可以执行切割操作;
E.关机步骤:按”EXIT”将画面退到主菜单界面下,关闭主轴,按“SYS INIT”键,对机器做初始化,用X轴方向键,移动工作盘到左端,打开防水盖,戴好防护手套,用镊子将碎屑捡出,再用软刷清理右边“BELLOW”上的赃物,关上防水盖,用X轴方向键移动工作盘到右端,打开防水盖,用镊子将碎屑拣出,再用软刷清理左边“BELLOW”上的赃物,关上防水盖,按“SYSINIT”键,对机器做初始化,将机器前面板上的钥匙旋转到“OFF”位置,此时钥匙上方的电源指示灯熄灭,将机器后面电路断路开关旋转到“OFF”位置。关掉变压器开关,关掉主轴冷却水和切割水以及压缩空气的阀门。
2.根据权利要求1所述的一种半导体划片工艺,其特征在于:所述划片前准备工作的具体操作为:检查切片刀是否安装好,确保去离子水压力大于0.3MPa,去离子水电阻率控制在 0.5-2MΩ/cm,打开相应划片机的活性剂开关,打开压缩空气开关并确保确认机器的后面压力表压力在4.0-6.0kgf/C㎡,检查没有工具或异物在设备里。
3.根据权利要求1所述的一种半导体划片工艺,其特征在于:在步骤C中,在进行主轴转速之前,确保机器的防水盖关闭。
4.根据权利要求1所述的一种半导体划片工艺,其特征在于:在步骤E中,进行关闭主轴步骤前,先让主轴带着切割水自由运转5到15分钟,关闭切割水,再让主轴自由运转15分钟。
5.根据权利要求1或2所述的一种半导体划片工艺,其特征在于:在步骤D中如果切片刀需要更换,进行如下操作:在主菜单界面下,按F5键,进入“刀片维护”界面,然后再按F1键,进入“刀片更换”界面,此时主轴停止旋转,切割水停止喷出且Y轴向后移动到换刀位置,打开防水盖,取下前喷水盖,如若机器带“BBD”,还应将“BBD”升到最高点,以便卸刀,使用换刀工具卸下固定刀的螺母,取下刀片,检查并确认刀片种类、规格是否正确,否则按F5进入,再按F10键,进入刀片库中选出正确的规格,硬刀选用27HECC,软刀选用SOFTBLADE,再退回“刀片更换”界面,此时界面已经更换了新的种类及规格,或者手动输入刀片的各项参数,将光标移到“新/旧”拦,按F1键,选择新刀或旧刀,硬刀换软刀或软刀换硬刀时要更改主轴转速和使用寿命,再按“ENTER”键确认刀片已更换,装上前喷水盖,关上防水盖。按“SYS INIT”键,机器执行初始化,按“EXIT”键,界面将返回“刀片维护”界面,再按“EXIT”键,界面将返回主菜单界面,更换新刀片后,会自动调用磨刀程序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造