[发明专利]一种硅片圆片全自动切割工艺在审
申请号: | 201711180143.5 | 申请日: | 2017-11-23 |
公开(公告)号: | CN107895706A | 公开(公告)日: | 2018-04-10 |
发明(设计)人: | 葛建秋;张彦;陈玲 | 申请(专利权)人: | 江阴苏阳电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/304 |
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地址: | 214400 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 全自动 切割 工艺 | ||
技术领域
本发明涉及硅片切割技术领域,具体为一种硅片圆片全自动切割工艺。
背景技术
半导体,指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。半导体是指一种导电性可受控制,范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看,半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品,如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等,而硅更是各种半导体材料中,在商业应用上最具有影响力的一种。
现有硅片圆片在进行切割时,需要很高的精度,确保切刀不会出现偏差,造成产品的报废。
现需要一种硅片圆片全自动切割工艺,以期可以解决上述技术问题。
发明内容
为实现上述技术问题,本发明提供如下技术方案:一种硅片圆片全自动切割工艺,包括以下步骤,
(1)从主菜单界面上,按F1键,工作盘自动的移到显微镜下,此时自动切割界面出现,调整显示器右边的光线调节旋钮和显微镜右侧焦距调整钮,使得工件在屏幕上清晰的显示;
(2)用“θ顺时针旋转”和“θ逆时针旋转”及Y∧和Y∨键,在慢速状态下,校准工件“CH1”角度,按F5角度校准键,工作盘自动的移到左边,再进行校准后,再按F5键工作盘自动的移到右边,反复上述操作直到被切割工件的切割区与基准线平行为止;
(3)用Y∧和Y∨及“HAIR WIDE”和“HAIR NARROW”键,移动切割区与基准线重合并使基准线宽度与切割区相符;
(4)按亮“INDEX”键,用Y∧和Y∨键来确认Y步进值与被加工工件在CH1方向上的步进相符;
(5)按“ENTER”键结束工件CH1的校准,此时工作盘将自动旋转90度,以便执行工件CH2的校准,方法同CH1校准相同;
(6)按“ENTER”键结束CH2的校准后,按“START”键开始执行自动切割;
此时机器上面的信号塔的绿灯亮起,主轴自动旋转到设置的转速,切割水自动打开,切割先从CH2切,待CH2切割完毕后,然后工作盘自动旋转90度,开始CH1切割;
(7)按“C/T VAC”键,再按“C/T VAC”键,工作盘自动的向右移动且显微镜移到后面,然后真空关闭,此时可取下工件。
优选地,在步骤(3)中,结束该校准前,按Y∧键结束,此键也称Y方向的离手键。
优选地,在步骤(6)中,CH2和CH1切割方向均为从前向后切,直到切割结束。
优选地,在步骤(2)中,注意角度校准完毕后请按“θ顺时针旋转”键结束操作,此键也称θ的离手键。
与现有技术相比,本发明提供了一种硅片圆片全自动切割工艺,具备以下有益效果:
1、本发明提供的一种硅片圆片全自动切割工艺,操作过程机器全自动进行操作,无需人工调整刀头的方位,确保切割原片的精度。
2、该全自动切割工艺,操作简单,使用方便,快捷。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例,对本发明中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例1
为实现上述技术问题,本发明提供如下技术方案:一种硅片圆片全自动切割工艺,包括以下步骤,
(1)从主菜单界面上,按F1键,工作盘自动的移到显微镜下,此时自动切割界面出现,调整显示器右边的光线调节旋钮和显微镜右侧焦距调整钮,使得工件在屏幕上清晰的显示;
(2)用“θ顺时针旋转”和“θ逆时针旋转”及Y∧和Y∨键,在慢速状态下,校准工件“CH1”角度,按F5角度校准键,工作盘自动的移到左边,再进行校准后,再按F5键工作盘自动的移到右边,反复上述操作直到被切割工件的切割区与基准线平行为止;
(3)用Y∧和Y∨及“HAIR WIDE”和“HAIR NARROW”键,移动切割区与基准线重合并使基准线宽度与切割区相符;
(4)按亮“INDEX”键,用Y∧和Y∨键来确认Y步进值与被加工工件在CH1方向上的步进相符;
(5)按“ENTER”键结束工件CH1的校准,此时工作盘将自动旋转90度,以便执行工件CH2的校准,方法同CH1校准相同;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造