[发明专利]阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法在审
申请号: | 201711180716.4 | 申请日: | 2017-11-23 |
公开(公告)号: | CN107968096A | 公开(公告)日: | 2018-04-27 |
发明(设计)人: | 王学雷;朱景河;黄伟东;李建华 | 申请(专利权)人: | 信利(惠州)智能显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人: | 叶剑 |
地址: | 516029 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 制备 方法 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
基板;
形成于所述基板上的栅极;
形成于所述栅极上的绝缘层;
形成于所述绝缘层上的有源层,其中,所述有源层为铟镓锌氧化物;
形成于所述有源层上的复合金属层,所述复合金属层包括与所述有源层连接的氧化铟锡膜层以及与所述氧化铟锡膜层连接的金属膜层,其中,所述金属膜层于显示区内开设有通口,所述氧化铟锡膜层与所述显示区对应的部分为像素层。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括保护层,所述保护层形成于所述复合金属层上。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述金属膜层为银膜层。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述绝缘层开设有通孔。
5.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1至4中任一项所述的阵列基板。
6.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:
在基板上形成栅极;
在所述栅极上形成绝缘层;
在所述绝缘层上制备铟镓锌氧化物的有源层;
对所述有源层进行刻蚀;
在所述有源层上制备复合金属层,所述复合金属层包括氧化铟锡膜层和金属膜层,所述氧化铟锡层与所述有源层连接,所述金属膜层与所述氧化铟锡层连接;
将显示区对应的部分所述金属膜层刻蚀掉,将所述显示区外的所述复合金属层设置为源/漏极,将所述显示区内对应的部分所述氧化铟锡膜层设置为像素层。
7.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述对所述有源层进行刻蚀步骤为:
对所述有源层进行曝光、显影和刻蚀,将所述显示区内的部分所述有源层刻蚀掉。
8.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述将显示区对应的部分所述金属膜层刻蚀掉的步骤为:
对所述显示区对应的部分所述金属膜层曝光、显影和刻蚀,将显示区对应的部分所述金属膜层刻蚀掉。
9.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,在所述将显示区对应的部分所述金属膜层刻蚀掉的步骤之后还包括:
在所述复合金属层上制备保护层。
10.根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述金属膜层为银膜层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的