[发明专利]三维存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种三维存储器形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括外围区和核心区；

在所述核心区上形成台阶结构；

形成覆盖所述外围区及所述台阶结构的保护层；

去除覆盖所述外围区的保护层；

在所述外围区及剩余的保护层上形成阻挡层；

刻蚀所述阻挡层及部分剩余的保护层，在含有保护层的台阶结构上形成含有间隙壁层的第一接触孔，并在所述外围区上形成第二接触孔。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述核心区上形成台阶结构，具体包括：

在所述核心区上形成叠层结构，所述叠层结构包括多层交错沉积的氮化物层和氧化物层，氮化物层形成于相邻的氧化物层之间；

刻蚀所述叠层结构形成台阶结构。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成覆盖所述外围区及所述台阶结构的保护层，具体为：采用化学气相沉积法在所述外围区及所述台阶结构上沉积氧化物形成氧化物层，并在所述氧化物层上沉积氮化硅，形成覆盖所述外围区及所述台阶结构的保护层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，去除覆盖所述外围区的保护层，具体为：采用干法刻蚀工艺去除覆盖所述外围区的保护层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述外围区及剩余的保护层上形成阻挡层，具体为：将四乙氧基硅烷作为前驱反应物，采用低压化学气相沉积或者等离子体化学气象沉积的方法，在所述外围区及剩余的保护层上形成阻挡层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀所述阻挡层及部分剩余的保护层，在含有保护层的台阶结构上形成含有间隙壁层的第一接触孔，并在所述外围区上形成第二接触孔，具体包括：

刻蚀所述阻挡层至漏出保护层的部分上表面，形成第一接触孔凹槽；

在所述第一接触孔凹槽的侧壁及底部形成间隙壁层；

刻蚀所述阻挡层至漏出所述外围区的部分上表面，形成第二接触孔凹槽；

刻蚀所述第一接触孔凹槽中的间隙壁层的底部至呈现所述台阶结构的上表面；

在当前的第一接触孔凹槽及第二接触孔凹槽中沉积金属后，进行平坦化处理形成对应的第一接触孔和第二接触孔。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述第一接触孔凹槽的侧壁及底部形成间隙壁层，具体为：采用化学气相沉积法在所述第一接触孔凹槽的侧壁及底部沉积氮化硅形成间隙壁层。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在当前的第一接触孔凹槽及第二接触孔凹槽中沉积钨形成对应的第一接触孔和第二接触孔。