[发明专利]一种喹唑啉并三氮唑衍生物及其在有机电致发光领域的应用在审
申请号: | 201711182740.1 | 申请日: | 2017-11-23 |
公开(公告)号: | CN109824672A | 公开(公告)日: | 2019-05-31 |
发明(设计)人: | 孙恩涛;刘嵩;李之洋;张向慧 | 申请(专利权)人: | 北京鼎材科技有限公司;固安鼎材科技有限公司 |
主分类号: | C07D487/04 | 分类号: | C07D487/04;C09K11/06;H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 北京市创世宏景专利商标代理有限责任公司 11493 | 代理人: | 崔永华 |
地址: | 100192 北京市海淀区西小口路*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 式( 1 ) 三氮唑衍生物 喹唑啉 应用 有机电致发光 有机发光材料 电子迁移率 电子注入性 发光效率 工作电压 降低器件 传输性 | ||
1.一种化合物,化合物的结构由如下通式(Ⅰ)表示,
其中:
L1和L2独立的选自单键、-O-、-S-、-NRa-、C1-C5的亚烷基、(C1-C3亚烷基)-O-(C1-C3亚烷基)、C6-C30的亚芳烃基、C3-C30的亚杂芳基;
R1独立的选自H、取代或未取代的C1~C12烷基、C1~C12烷氧基、卤素、氰基、硝基、羟基、硅烷基、C6~C30的取代或未取代的芳烃基、C3~C30的取代或未取代的杂芳基;R1的数量为1、2、3、4个,当R1的数量为2个以上时,R1相同或者不同;
Ar1和Ar2独立的选自H、取代或未取代的C1~C12烷基、C1~C12烷氧基、卤素、氰基、硝基、羟基、硅烷基、C6~C30的取代或未取代的芳烃基、C3~C30的取代或未取代的杂芳基;其中Ar1和Ar2中至少一个为取代或未取代的稠合芳基,所述稠合芳基中含有2个以上的苯环形成的稠合环,或者R1、Ar1和Ar2同时为苯基。
2.根据权利要求1所述的化合物,其特征在于,Ar1和Ar2中至少一个为取代或未取代的稠合芳基,所述稠合芳基中含有2个以上的苯环形成的稠合环;并且所述的稠合芳基与其上的取代基或者是与连接于其的L1或L2形成共轭π键,所述的共轭π键中包括至少四个苯环,或者所述的稠合芳基自身所形成的共轭π键中包括至少三个苯环。
3.根据权利要求1或2所述的化合物,其特征在于,所述的Ar1和Ar2中的至少一个选自取代或未取代的萘基、蒽基、荧蒽基、芴基、菲基、芘基、三亚苯基、苝基、屈基;所述取代基为1、2、3、4个独立的选自H、取代或未取代的C1~C12烷基、C1~C12烷氧基、卤素、氰基、硝基、羟基、硅烷基、C6~C18的取代或未取代的芳烃基、C3~C11的取代或未取代的杂芳基,所述取代基相同或者不同。
4.根据权利要求1所述的化合物,其特征在于Ar1和Ar2中的至少一个为萘基或式(II)所示的基团中的一种,其中*表示连接位点,式(II)任选的被1、2、3、4个独立的选自H、取代或未取代的C1~C12烷基、C1~C12烷氧基、苯基、卤素、氰基、硝基、羟基的取代基所取代,所述取代基相同或者不同;其中Ar3选自H、取代或未取代的C1~C12烷基、C1~C12烷氧基、卤素、氰基、硝基、羟基、C6~C12的取代或未取代的芳烃基、C3~C11的取代或未取代的杂芳基;当式(II)中存在两个Ar3时,两个Ar3相同或者不同;
5.根据权利要求4所述的化合物,所述L1和L2独立的为单键、苯基、呋喃基、噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、吡咯基、吡啶基、联苯基、三联苯基、或萘基。
6.根据权利要求4或5所述的化合物,所述Ar3独立的选自H、苯基、萘基、呋喃基、噻吩基、吡咯基、吡啶基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、茚基、芴基及其衍生物、荧蒽基、三亚苯基、芘基、苝基、基、并四苯基、三芳胺基、9,9-二甲基芴基、二苯乙烯基苯基、苯并芴基、茚并芴基或茚基。
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