[发明专利]三维存储结构制作方法、存储结构、存储器及电子设备

权利要求书

1.一种三维存储结构制作方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成凹陷区；

在所述凹陷区形成三维存储器件；

在非凹陷区形成外围电路。

2.根据权利要求1所述的三维存储结构制作方法，其特征在于，所述在衬底上形成凹陷区，包括：

采用刻蚀工艺在衬底上刻蚀出凹陷区，所述凹陷区的深度大于或等于待制作的三维存储器件的厚度。

3.根据权利要求1所述的三维存储结构制作方法，其特征在于，在非凹陷区形成外围电路之前，还包括：；

全面形成第一隔离层；

对所述第一隔离层进行全面平坦化；

所述在非凹陷区形成外围电路，包括：

在对应于非凹陷区的第一隔离层上形成外围电路。

4.根据权利要求1所述的三维存储结构制作方法，其特征在于，在非凹陷区形成外围电路之后，还包括：

全面形成第二隔离层；

对所述第二隔离层进行全面平坦化；

基于所述第二隔离层，形成所述外围电路与所述三维存储器件之间的金属连线。

5.一种三维存储结构，其特征在于，包括：衬底、三维存储器件和外围电路；

所述衬底上设置有凹陷区和非凹陷区；

所述三维存储器件设于所述衬底上的凹陷区；

所述外围电路设于所述衬底上的非凹陷区。

6.根据权利要求5所述的三维存储结构，其特征在于，所述凹陷区的深度大于或等于所述三维存储器件的厚度。

7.根据权利要求5所述的三维存储结构，其特征在于，还包括：第一隔离层；

所述第一隔离层设于所述三维存储器件与所述外围电路之间。

8.根据权利要求5所述的三维存储结构，其特征在于，还包括：第二隔离层和金属连线；

所述第二隔离层设于所述外围电路之上；

所述金属连线设于所述第二隔离层之上，并穿过所述第二隔离层连接所述外围电路和所述三维存储器件。

9.一种三维存储器，其特征在于，所述三维存储器中设置有权利要求5至8任一项所述的三维存储结构。

10.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备中设置有权利要求9所述的三维存储器。