[发明专利]三维存储结构连线方法、存储结构、存储器及电子设备

权利要求书

1.一种三维存储结构连线方法，其特征在于，包括：

形成目标通孔，以及在所述目标通孔的顶端形成通孔扩展区；

在所述目标通孔中形成接触线，以及在所述通孔扩展区中形成与所述接触线连接的接触垫；

基于所述接触垫形成与所述接触线连接的金属连线。

2.根据权利要求1所述的三维存储结构连线方法，其特征在于，所述在所述目标通孔的顶端形成通孔扩展区，包括：

采用双大马士革工艺在所述目标通孔的顶端形成通孔扩展区。

3.根据权利要求2所述的三维存储结构连线方法，其特征在于，所述采用双大马士革工艺在所述目标通孔的顶端形成通孔扩展区，包括：

在三维存储结构上表面形成硬掩膜；

通过曝光定义目标通孔的通孔扩展区；

根据曝光结果，采用刻蚀工艺在所述目标通孔的顶端刻蚀出通孔扩展区。

4.根据权利要求3所述的三维存储结构连线方法，其特征在于，所述在三维存储结构上表面形成硬掩膜，包括：

通过先后沉积非晶碳和氮氧化硅，在三维存储结构上表面形成硬掩膜。

5.根据权利要求1所述的三维存储结构连线方法，其特征在于，所述在所述目标通孔中形成接触线，以及在所述通孔扩展区中形成与所述接触线连接的接触垫，包括：

向所述目标通孔和所述通孔扩展区中填充金属，所述金属在所述目标通孔中形成接触线并在所述通孔扩展区中形成接触垫。

6.根据权利要求1至5任一项所述的三维存储结构连线方法，其特征在于，所述目标通孔包括：台阶区通孔和/或外围电路通孔。

7.一种三维存储结构，其特征在于，所述三维存储结构中设有目标通孔，所述目标通孔的顶部设有通孔扩展区；

所述目标通孔中设有接触线，所述通孔扩展区中设有接触垫；

所述接触线通过所述接触垫与上方的金属连线连接。

8.根据权利要求7所述的三维存储结构，其特征在于，所述目标通孔包括：台阶区通孔和/或外围电路通孔。

9.一种三维存储器，其特征在于，所述三维存储器中设置有权利要求7或8所述的三维存储结构。

10.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备中设置有权利要求9所述的三维存储器。