[发明专利]一种新型栅极结构的功率MOS器件制造方法

权利要求书

1.一种新型栅极结构的MOS器件制造方法，应用于半导体制造领域，其特征在于，提供一硅衬底，所述硅衬底漏极区域存在第一类杂质的重掺杂，还包括以下步骤：

步骤S1、于所述第一类杂质的重掺杂层表面形成一外延层；

步骤S2、于所述外延层表面形成一第一掩膜层，图案化所述第一掩膜层，于预定位置形成工艺窗口；随后，通过所述第一掩膜层对所述重掺杂层进行刻蚀；

步骤S3、去除所述第一掩膜层，在所述外延层表面依次淀积一第一氧化层、一SiN层、一第二氧化层、一多晶硅层；

步骤S4、对所述多晶硅层进行第一类杂质的超重掺杂；

步骤S5、对所述多晶硅层进行退火，随后，刻蚀所述多晶硅层，至暴露所述外延层；

步骤S6、于预定位置形成基区和源区；

步骤S7、于所述外延层和所述多晶硅层表面形成一层间介质层，于所述层间介质层内形成接触孔；

步骤S8、通过所述接触孔对所述层间介质层进行离子注入；

步骤S9、对所述接触孔内壁和所述层间介质层表面溅镀一金属层；

步骤S10、对所述金属层进行光刻与刻蚀，形成栅极结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一类杂质所用离子为硼或砷。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述外延层为所述第一类杂质的轻掺杂层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二氧化层采用低压淀积的方式形成。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成基区和源区的方法包括：

步骤S61、于所述外延层表面和所述多晶硅层表面形成一第二掩膜层，图案化所述第二掩膜层，于预定位置形成工艺窗口，

步骤S62、通过所述第二掩膜层对所述外延层进行第二类杂质的轻掺杂，随后，去除所述第二掩膜层；

步骤S63、于所述外延层表面和所述多晶硅层表面形成一第三掩膜层，图案化所述第三掩膜层，于源区位置形成工艺窗口，

步骤S64、通过所述第三掩膜层对所述外延层进行第一类杂质的轻掺杂，随后，去除所述第三掩膜层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述接触孔的形成包括：

步骤S71、于所述外延层表面和所述多晶硅层表面形成一层间介质层

步骤S72、于所述层间介质层表面形成一第四掩膜层，图案化所述第四掩膜层，于预定位置形成工艺窗口；

步骤S73、通过所述第四掩膜层对所述层间介质层和所述外延层进行刻蚀，形成接触孔。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极结构包括：栅极、源极、漏极、栅极沟槽。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述栅极沟槽包括：

一第一氧化层；

一SiN层，覆盖于所述第一氧化层上；

一第二氧化层，覆盖于所述SiN层上；

一多晶硅层，覆盖于所述第二氧化层上。