[发明专利]一种实现物理不可克隆功能的电路结构在审
申请号: | 201711186623.2 | 申请日: | 2017-11-24 |
公开(公告)号: | CN107689872A | 公开(公告)日: | 2018-02-13 |
发明(设计)人: | 刘戬 | 申请(专利权)人: | 北京中电华大电子设计有限责任公司 |
主分类号: | H04L9/32 | 分类号: | H04L9/32 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 102209 北京市昌平区北七家镇未*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 实现 物理 不可 克隆 功能 电路 结构 | ||
1.一种实现物理不可克隆功能的电路结构,其特征在于,所述结构包括用于实现物理不可克隆功能的fuse结构(110)和信号识别单元(120),fuse结构(110)中的激励信号经由信号识别单元(120)进行电平变化识别从而获得响应输出信号。
2.根据权利要求1所述的电路结构,其特征在于,所述用于实现物理不可克隆功能的fuse结构(110)为半导体导电层从芯片有效图形中绕到芯片划片线区域,并返回到芯片有效图形中的j组连线结构,j为大于0自然数;所述每组fuse结构包含i根距离芯片有效图形不同距离的fuse线,i为大于0的自然数;fuse线的总根数定义为N,N=i*j;根据芯片划片过程中,划片刀在划片线中通过的位置的不确定性,使得处在划片线中不同位置的多组fuse结构中的多根fuse线,概率性地被划断。
3.根据权利要求1所述的电路结构,其特征在于,所述fuse结构(110)的fuse线宽、间距及比例不受实际应用限制。
4.根据权利要求1所述的电路结构,其特征在于,所述fuse结构(110)的fuse导电层,包含但不限于金属、多晶硅、N阱等材质。
5.根据权利要求1所述的电路结构,其特征在于,所述fuse结构(110)的fuse导电层上方,包含但不限于覆盖包括金属、钝化层等材料。
6.根据权利要求1所述的电路结构,其特征在于,所述信号识别单元(120)包括选通电路和读出电路,根据划片后fuse结构的状态和激励信号,可以输出响应信号,作为物理不可克隆功能的输出。
7.根据权利要求6所述的信号识别单元(120),其特征在于,所述选通电路控制某根fuse的传输信号是否由读出电路读出作为响应信号;所述选通电路,包含读出控制电路;其特征在于,控制信号可以根据一个PUF fuse的根数N,形成EN0~ENN,分别控制fuse0~fuseN对应的选通管,实现在同一颗芯片上对不同fuse PUF bit的分别选通,形成PUF单元的多个挑战-响应对。
8.根据权利要求6所述的信号识别单元(120),其特征在于,所述读出电路能够由数字电路识别生成,能够由模拟电路识别生成,也能够由数字电路和模拟电路二者混合识别生成。
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