[发明专利]一种微孔硅氟杂化膜的制备方法及应用在审
申请号: | 201711187192.1 | 申请日: | 2017-11-24 |
公开(公告)号: | CN107952374A | 公开(公告)日: | 2018-04-24 |
发明(设计)人: | 徐荣;刘云;黄劲荣;钟璟;戚律;张琪 | 申请(专利权)人: | 常州大学 |
主分类号: | B01D71/02 | 分类号: | B01D71/02;B01D67/00;B01D61/14;B01D53/22 |
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地址: | 213164 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 微孔 硅氟杂化膜 制备 方法 应用 | ||
1.一种微孔硅氟杂化膜的制备方法,其特征在于:所述制备方法工艺如下:
(1)将TEOS、NH4F、水和HNO3加入乙醇溶剂中进行水解和共聚反应制备硅氟溶胶;
(2)采用旋转擦涂法将ZrO2溶胶涂覆在多孔超滤硅膜上,550℃空气气氛下煅烧得到膜的中间层;
(3)将步骤(1)中得到的硅氟溶胶稀释2倍后,通过旋转擦涂法将稀释后的硅氟溶胶涂覆到步骤(2)得到的中间层上,惰性气氛中煅烧得到微孔硅氟杂化膜。
2.如权利要求1所述的微孔硅氟杂化膜的制备方法,其特征在于:步骤(1)中所述的水解和共聚的温度为40-60℃,水解和共聚时间为3-4h。
3.如权利要求1所述的微孔硅氟杂化膜的制备方法,其特征在于:步骤(1)中所述的TEOS、NH4F、水和HNO3的摩尔比为1:0.1-0.3:200:0.1,TEOS的质量分数为1.0%。
4.如权利要求1所述的微孔硅氟杂化膜的制备方法,其特征在于:步骤(2)中所述的多孔超滤硅膜的孔隙率为50%。
5.如权利要求1所述的微孔硅氟杂化膜的制备方法,其特征在于:步骤(2)中所述膜的中间层的平均孔径为1-2nm。
6.如权利要求1所述的微孔硅氟杂化膜的制备方法,其特征在于:步骤(3)中所述的煅烧温度为300-400℃,煅烧气氛为氮气,煅烧时间为20-30min。
7.一种如权利要求1所述方法制备的微孔硅氟杂化膜的应用,其特征在于:所述杂化膜用于CO2气体分离。
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