[发明专利]电网结构、集成电路结构及其形成方法

说明书

集成电路(IC)结构包括定向为电源导轨方向的电源导轨，和位于电源导轨之上且定向为与电源导轨方向垂直的第一金属层级方向的第一金属区段。位于电源导轨和第一金属区段之间的第一通孔定位于第一金属区段和电源导轨重叠的位置处。第二金属区段定位于第一金属区段之上，与电源导轨重叠，并且定向为电源导轨方向。第二通孔定位于第一金属区段和第二金属区段之间的第一通孔之上，并且电源带定位于第二金属区段之上。电源带电连接至电源导轨，多个第一金属区段中的每个第一金属区段具有最小宽度，并且电源带的宽度大于最小宽度。本发明还提供了集成电路(IC)结构及其形成方法。

技术领域

本发明的实施例一般地涉及半导体技术领域，更具体地，涉及电网结构、集成电路结构及其形成方法。

背景技术

在许多集成电路(IC)中，电源导轨用于将电源分配到形成在衬底中的功能电路元件。通常使用金属层将电源传输至电源导轨，其中，金属层位于电源导轨和电源导轨的层级之上的层级处的电源带之间。

包括这种金属层的IC结构的电阻可以影响电源传输效率、热量生成以及对电迁移(EM)的敏感性。金属层的布线还可以影响额外的电连接至功能电路元件的布线。

发明内容

根据本发明的一方面，提供了一种集成电路(IC)结构，包括：电源导轨，定位于电源导轨层级上并且定向为电源导轨方向；多个第一金属区段，定位于所述电压导轨层级之上的第一金属层级处，所述多个第一金属区段定向为与所述电源导轨方向垂直的第一金属层级方向；多个第一通孔，位于所述电源导轨层级和所述第一金属层级之间，所述多个第一通孔中的每个第一通孔定位于所述多个第一金属区段中的相应第一金属区段与所述电源导轨重叠的位置处；第二金属区段，定位于所述第一金属层级之上的第二金属层级处，所述第二金属区段与所述电源导轨重叠并且定向为所述电源导轨方向；多个第二通孔，位于所述第一金属层级和所述第二金属层级之间，所述多个第二通孔中的每个第二通孔定位于所述多个第一通孔中的相应第一通孔之上的位置处，以及电源带，定位于所述第二金属层级之上的电源带层级处；其中：IC结构被配置为将所述电源带电连接至所述电源导轨；所述多个第一金属区段中的每个第一金属区段的宽度与所述第一金属层级的预定最小宽度相对应；以及所述电源带的宽度大于所述电源带层级的预定最小宽度。

根据本发明的另一方面，提供了一种集成电路(IC)结构，包括：第一电源导轨，定位于电源导轨层级处且定向为电源导轨方向；第二电源导轨，定位于所述电源导轨层级处且定向为所述电源导轨方向；第一金属区段，定位于所述电源导轨层级之上的金属区段层级处，所述第一金属区段与所述第一电源导轨重叠并且定向为所述电源导轨方向；第二金属区段，定位于所述金属区段层级处，所述第二金属区段与所述第二电源导轨重叠并且定向为所述电源导轨方向；多个金属带，定位于所述电源导轨层级之上的金属带层级处，所述多个金属带中的每个金属带与所述第一电源导轨和所述第二电源导轨重叠，并且定向为与所述电源导轨方向垂直的金属带方向；多个金属短线，定位于所述电源导轨层级之上的金属短线层级处，所述多个金属短线中的每个金属短线与所述第一电源导轨或所述第二电源导轨重叠，并且定向为所述金属带方向；第一电源带，定位于所述金属区段层级、所述金属带层级和所述金属短线层级之上的电源带层级处；第二电源带，定位于所述电源带层级处；以及多个通孔阵列，通孔阵列的数量比金属层级的总数少一个，每个通孔阵列包括定位于相应的相邻金属层级的金属元件重叠的位置处的多个通孔；其中，所述IC结构配置为将所述第一电源带电连接至所述第一电源导轨并且将所述第二电源带单独地电连接至所述第二电源导轨；多个金属带中的每个金属带的宽度与所述金属带层级的预定最小宽度相对应；多个金属短线中的每个金属短线的宽度与所述金属短线层级的预定最小宽度相对应；以及第一电源带和第二电源带中的每个的宽度大于所述电源带层级的预定最小宽度。