[发明专利]一种石墨烯透明导电膜在审

专利信息
申请号: 201711188287.5 申请日: 2017-11-24
公开(公告)号: CN109841298A 公开(公告)日: 2019-06-04
发明(设计)人: 金闯 申请(专利权)人: 太仓斯迪克新材料科技有限公司
主分类号: H01B5/14 分类号: H01B5/14;H01B1/24;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 苏州凯谦巨邦专利代理事务所(普通合伙) 32303 代理人: 丁剑
地址: 215400 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 透明导电膜 粘合剂 石墨烯片 透明导电 石墨烯 体积百分比 导电网络 堆栈区块 高透光度 平面横向 呈片状 可挠性 片电阻 支持体 重量比 薄膜 应用
【权利要求书】:

1.一种石墨烯透明导电膜,包含:多个石墨烯片,呈片状,厚度为13~20nm,且平面横向尺寸为11um~15um;以及一透明导电粘合剂,将该等石墨烯片黏结,其中该石墨烯透明导电膜的厚度小于50nm,该等石墨烯片与该透明导电粘合剂的重量比为1wt%至0.01wt%的间,该透明导电粘合剂占该石墨烯透明导电膜的体积百分比为0.5~10%。

2.如权利要求1所述的石墨烯透明导电膜,其中该透明导电粘合剂为一透明导电高分子,包含一聚噻吩结构,以及聚阳离子高分子结构的至少其中的一。

3.如权利要求1所述的石墨烯透明导电膜,其中该透明导电粘合剂包含聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)、聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)、聚苯胺、聚吡咯的至少其中的一。

4.如权利要求2所述的石墨烯透明导电膜,其中该聚噻吩结构的化学式为:A为碳数为1-4的烷基自由基,或可取代1-4个碳的的烷基自由基。

5.如权利要求2的石墨烯透明导电膜,其中该聚阳离子高分子结构的化学式为:

R1、R2、R3、R4为C1-C4的烷基,R5、R6为饱和或非饱合的亚烷基、芳香亚烷基或亚二甲苯基。

6.如权利要求1所述的石墨烯透明导电膜,其中该石墨烯透明导电膜于可见光下的穿透度大于80%。

7.如权利要求1所述的石墨烯透明导电膜,其中该石墨烯透明导电膜的片电阻小于500ohm/sq。

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